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R6004ENX 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 R6004ENX
기능 Nch 600V 4A Power MOSFET
제조업체 Rohm
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( 핀배열 )


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R6004ENX 데이터시트 및 R6004ENX PDF

1페이지

R6004ENX pdf, 반도체, 판매, 대치품
R6004ENX
Data Sheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Values
Typ.
Max.
Unit
Inverse diode continuous,
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
IS *1
ISM *2
Tc = 25°C
VSD *5
trr *5
Qrr *5
Irrm *5
VGS = 0V, IS = 4A
IS = 4A
di/dt = 100A/ms
- - 4.0 A
- - 8.0 A
- - 1.5 V
- 320 -
ns
- 2.4 - mC
- 15 -
A
lTypical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 0.557
Rth2 1.61 K/W
Rth3 2.24
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Value
0.00102
0.00898
0.440
Unit
Ws/K
www.rohm.com
© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/12
2014.03 - Rev.B

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R6004ENX 전자부품, 판매, 대치품
R6004ENX
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.8 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
900
850
800
750
700
650
600
550
500
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.9 Typical Transfer Characteristics
10
VDS= 10V
1
0.1
0.01
Ta=125ºC
Ta=75ºC
Ta=25ºC
Ta= -25ºC
0.001
0
2 4 6 8 10
Gate - Source Voltage : VGS [V]
Fig.10 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
4.0
3.5
3.0
2.5
VDS= 10V
ID= 1mA
2.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Junction Temperature : Tj [°C]
Fig.11 Transconductance vs. Drain Current
10
VDS= 10V
1
Ta= -25ºC
Ta=25ºC
Ta=75ºC
0.1 Ta=125ºC
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
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