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RJ1U330AAFRGTL 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RJ1U330AAFRGTL
기능 Nch 250V/33A Power MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RJ1U330AAFRGTL 데이터시트 및 RJ1U330AAFRGTL PDF

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RJ1U330AAFRGTL pdf, 반도체, 판매, 대치품
RJ1U330AAFRGTL            
        
Datasheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Values
Typ.
Max.
Continuous forward
current
Pulse forward current
IS*1
TC = 25
ISP*2
- - 26
- - 104
Forward voltage
VSD*5 VGS = 0V, IS = 33A
-
- 1.5
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
trr*5
Qrr*5
IS = 16.5A
di/dt = 100A/μs
Irrm*5
- 145 -
- 670 -
- 10 -
Unit
A
A
V
ns
μC
A
lTypical transient thermal characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 0.0676
Rth2
0.259
K/W
Rth3 0.607
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Value
0.00214
0.00771
0.196
     
Unit
Ws/K
                                                                                          
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20160909 - Rev.001

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RJ1U330AAFRGTL 전자부품, 판매, 대치품
RJ1U330AAFRGTL            
lElectrical characteristic curves
        
Datasheet
Fig.07 Normalized Breakdown Voltage vs.
        Junction Temperature
Fig.08 Typical Transfer Characteristics
Fig.09 Normalized Gate Threshold Voltage
vs.  Junction Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
                                                                                          
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