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SJEP120R063 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 SJEP120R063
기능 Normally-OFF Trench Silicon Carbide Power JFET
제조업체 SemiSouth
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( 핀배열 )


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SJEP120R063 데이터시트 및 SJEP120R063 PDF

1페이지

SJEP120R063 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PRELIMINARY
Silicon Carbide
SJEP120R063
Figure 7. Typical Drain-Source On-resistance
RDS(on) = f(ID); VGS = 3.0 V; parameter: Tj
0.35
0.30
0.25
150oC
0.20
0.15
100oC
0.10
0.05
25oC
0.00
0
10 20 30
ID, Drain Current (A)
40
Figure 8. Typical Drain-Source On-resistance
RDS(ON) = f(Tj); ID = 20 A; parameter: IGS
0.18
0.16
0.14
0.12
10 mA
50 mA
0.10
200 mA
0.08
0.06
0.04
0
25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature (°C)
Figure 9. Typical Drain-Source On-resistance
RDS(ON) = f(IGS); ID = 20 A; Tj = 25oC
0.052
0.051
0.050
0.049
0.048
0.047
0.046
0.045
0.044
0.043
0.042
0.1
1.0
10.0
100.0
IGS, Gate-Source Current (mA)
1000.0
Figure 10. Typical Capacitance
C = f(VDS); VGS = 0 V; f = 1 MHz
1.E+04
1.E+03
Ciss
1.E+02
Crss
Coss
1.E+01
0
300 600 900
VDS, Drain-Source Voltage (V)
1200
Figure 11. Typical Gate Charge
Qg = f(VGS); VDS = 600 V; ID = 10 A, Tj = 25oC
3.0
2.5
2.0
Figure 12. Gate Threshold Voltage
Vth = f(Tj)
1.50
1.25 Max
-2.0mV/oC
Typical
1.00
1.5 0.75
1.0 0.50
0.5 0.25
0.0
0
15 30 45
Qg, Total Gate Charge (nC)
60
0.00
0
50 100 150
Tj, Junction Temperature (oC)
200
SJEP120R063 Rev1.5
4/8
January 2012

4페이지

SJEP120R063 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions: TO-247
PRELIMINARY
Silicon Carbide
SJEP120R063
SJEP120R063 Rev1.5
DIM
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
D1
D2
e
E
E1
L
L1
Q
ØP
ØP1
MILLIMETERS
MIN MAX
4.903
5.157
2.273
2.527
1.853
2.108
1.073
1.327
2.873
3.381
1.903
2.386
0.600
0.752
20.823
21.077
17.393
17.647
1.063
1.317
5.450
15.773
16.027
13.893
14.147
20.053
20.307
4.168
4.472
6.043
6.297
3.560
3.660
7.063
7.317
INCHES
MIN MAX
0.193
0.203
0.090
0.100
0.073
0.083
0.042
0.052
0.113
0.133
0.042
0.052
0.024
0.029
0.820
0.830
0.685
0.695
0.042
0.052
0.215
0.621
0.631
0.547
0.557
0.789
0.799
0.165
0.175
0.238
0.248
0.140
0.144
0.278
0.288
7/8 January 2012

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