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RSD080N06 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RSD080N06
기능 MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RSD080N06 데이터시트 및 RSD080N06 PDF

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RSD080N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSD080N06
 
Data Sheet
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
100
VDS=10V
pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
1 Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
100
Fig.9 Source Current vs. Source-Drain Voltage
100
VGS=0V
pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
1 Ta=-25°C
0.1
0.01
0.0
10000
1000
100
10
1
0.01
0.5 1.0 1.5
Source-Drain Voltage : VSD [V]
2.0
Fig.11 Switching Characteristics
tf
td(off)
VDD30V
VGS=10V
RG=10Ω
Ta=25°C
Pulsed
tr
td(on)
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
100
VDS=10V
pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
1 Ta=-25°C
0.1
0.01
0.001
0.0
1.0 2.0 3.0 4.0
Gate-Source Voltage : VGS [V]
5.0
Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
300
Ta=25°C
pulsed
250
ID=8.0A
200
ID=4.0A
150
100
50
0
0
2468
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10
Ta=25°C
VDD=30V
ID=8A
8 Pulsed
10
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10
Total Gate Charge : Qg [nC]
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/6
2011.08 - Rev.A

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RSD080N06 전자부품, 판매, 대치품
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