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RSD131P10 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RSD131P10
기능 MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RSD131P10 데이터시트 및 RSD131P10 PDF

1페이지

RSD131P10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSD131P10
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature : Tj [°C]
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
PW = 100us
10
PW = 1ms
1 Operation in this
area is limited
by RDS(on)
0.1 PW = 10ms
Ta=25ºC
Single Pulse
0.01
0.1 1
10
100
1000
Drain - Source Voltage : -VDS [V]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
Ta=25ºC
Rth(j-c)(t) = r(t)×Rth(ch-c)
Rth(j-c) = 6.25ºC/W
1
0.1
0.01
0.00010.001 0.01 0.1
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
1 10 100 1000
Pulse Width : PW [s]
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2012.08 - Rev.A

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RSD131P10 전자부품, 판매, 대치품
RSD131P10
lElectrical characteristic curves
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
400
Ta=25ºC
350
300
250 ID = -7.5A
ID = -13A
200
150
100
50
0
0
5 10 15
Gate - Source Voltage : -VGS [V]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Ta=25ºC
VGS= -10V
VGS= -4.5V
VGS= -4.0V
100
10
0.01
0.1 1 10
Drain Current : -ID [A]
100
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
400
350
VGS = -10V
ID = -13A
300
250
200
150
100
50
0
-50 0 50 100 150
Junction Temperature : Tj [ºC]
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