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RSJ450N04 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RSJ450N04
기능 MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RSJ450N04 데이터시트 및 RSJ450N04 PDF

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RSJ450N04 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSJ450N04
 
Data Sheet
Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
50
Ta=25°C
Pulsed
40
30
ID=45.0A
ID=22.5A
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
12
Ta=25°C
VDD=25V
10 ID=45A
Pulsed
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Total Gate Charge : Qg [nC]
1000
100
Fig.11 Maximum Safe Operating Area
Operation in this area
is limited by RDS(on)
(VGS = 10V)
Tc=25°C
PW = 100μs
10
PW = 1ms
1
PW = 10ms
0.1 DC Operation
0.01
0.1
1 10
Drain-Source Voltage : VDS [ V ]
100
10000
1000
100
10
Fig.8 Switching Characteristics
tf
td(off)
VDD25V
VGS=10V
RG=10Ω
Ta=25°C
Pulsed
td(on)
tr
1
0.01
0.1 1 10
Drain Current : ID [A]
100
100000
10000
Fig.10 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
1000
Coss
100
Crss
10
1
0.01
0.1 1 10
Drain-Source Voltage : VDS [V]
100
Fig.12 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
10
Tc=25°C
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001 0.001
Rth(ch-c)=2.5°C/W
Rth(ch-c)(t)=r(t)×Rth(ch-c)
0.01 0.1 1 10
Pulse width : Pw (s)
100 1000
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4/5
2011.09 - Rev.A

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