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RSJ550N10 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RSJ550N10
기능 MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RSJ550N10 데이터시트 및 RSJ550N10 PDF

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RSJ550N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSJ550N10
 
Data Sheet
Fig.7 Source Current vs. Source-Drain Voltage
100
VGS=0V
pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
1
0.1
0.01
0.0
10000
1000
0.5 1.0 1.5
Source-Drain Voltage : VSD [V]
Fig.9 Switching Characteristics
tf
td(off)
2.0
100
10 VDD50V
VGS=10V
RG=10W
Ta=25°C
Pulsed
1
0.01
0.1
td(on)
tr
1
Drain Current : ID [A]
10
100
Fig.11 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
100000
10000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
1000
Ciss
100
Crss
Coss
10
0.01
0.1 1 10 100
Drain-Source Voltage : VDS [V]
1000
Fig.8 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
50
Ta=25°C
pulsed
40
30
ID=27.5A
ID=50A
20
10
0
0
2468
Gate-Source Voltage : VGS [V]
10
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
10
Ta=25°C
VDD=50V
ID=27.5A
8 Pulsed
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140150
Total Gate Charge : Qg [nC]
Fig.12 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
10
Ta=25°C
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
Mounted on epoxy board.
(25mm × 27mm × 0.8mm)
Rth(ch-a)=71.4°C/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
0.01 0.1 1 10
Pulse width : Pw (s)
100 1000
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/6
2011.06 - Rev.A

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RSJ550N10 전자부품, 판매, 대치품
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