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RSJ650N10 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 RSJ650N10
기능 MOSFET
제조업체 ROHM
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( 핀배열 )


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RSJ650N10 데이터시트 및 RSJ650N10 PDF

1페이지

RSJ650N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RSJ650N10
 
Data Sheet
Fig.7 Typical Transfer Characteristics
100
VDS=10V
pulsed
10
Ta=125°C
1 Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
0.1
0.01
0.001
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Gate-Source Voltage : VGS [V]
3.5
Fig.9 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
20
Ta=25°C
pulsed
15 ID=50A
ID=32.5A
10
5
0
0
2468
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
10
Ta=25°C
VDD=50V
8
ID=32.5A
Pulsed
10
6
4
2
0
0 50 100 150 200 250 300
Total Gate Charge : Qg [nC]
Fig.8 Source Current vs. Source-Drain Voltage
100
VGS=0V
pulsed
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
1 Ta=-25°C
0.1
0.01
0.0
100000
10000
1000
0.5 1.0 1.5
Source-Drain Voltage : VSD [V]
2.0
Fig.10 Switching Characteristics
tf
td(off)
VDD50V
VGS=10V
RG=10W
Ta=25°C
Pulsed
100
10
td(on) tr
1
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
100
100000
Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
10000
Ciss
1000
100
Coss
Crss
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
10
0.01
0.1
1
10 100 1000
Drain-Source Voltage : VDS [V]
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/6
2011.06 - Rev.A

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RSJ650N10 전자부품, 판매, 대치품
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