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IPP80N06S2L-11 데이터시트 PDF : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 IPP80N06S2L-11
기능 Power-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
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( 핀배열 )


전체 8 페이지

		
IPP80N06S2L-11 데이터시트 및 IPP80N06S2L-11 PDF

1페이지

IPP80N06S2L-11 pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot = f(T C); V GS ≥ 4 V
IPB80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11
2 Drain current
I D = f(T C); V GS ≥ 10 V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 50 100
T C [°C]
3 Safe operating area
I D = f(V DS); T C = 25 °C; D = 0
parameter: t p
1000
150
100
80
60
40
20
0
200 0 50 100 150
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC = f(t p)
parameter: D =t p/T
100
0.5
200
100
10
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10-1
0.1
0.05
0.01
10-2
single pulse
1
0.1
Rev. 1.1
1 10
V DS [V]
10-3
100 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100
t p [s]
page 4
2010-10-26

4페이지

IPP80N06S2L-11 전자부품, 판매, 대치품
13 Typical avalanche energy
E AS = f(T j)
parameter: I D = 80A
300
250
IPB80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11
14 Typ. gate charge
V GS = f(Q gate); I D = 80 A pulsed
12
11 V 44 V
10
200 8
150 6
100 4
50 2
0
25 75 125
T j [°C]
15 Typ. drain-source breakdown voltage
V BR(DSS) = f(T j); I D = 1 mA
0
175 0
20 40
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
60
66
64
62
60
58
56
54
52
50
48
46
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
V GS
Q gs
Rev. 1.1
page 7
Qg
Q gd
Q gate
2010-10-26

7페이지





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다운로드[ IPP80N06S2L-11.PDF 데이터시트 ]
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부품번호상세설명 및 기능제조사
IPP80N06S2L-11

The functions of this components is a Power-Transistor.

Infineon Technologies
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