13N60AF - N-Channel Power MOSFET / Transistor

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13N60AF 기능

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N-Channel Power MOSFET / Transistor

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SEMICONDUCTOR

13N60 Series RRooHHSS

Nell High Power Products

N-Channel Power MOSFET

13A, 600Volts

DESCRIPTION

The Nell 13N60 is a three-terminal silicon

device with current conduction capability of

13A, fast switching speed, low on-state

resistance, breakdown voltage rating of 600V,

and max. threshold voltage of 4 volts.

They are designed for use in applications such

as switched mode power supplies. DC to DC

converters, PWM motor controls, bridge circuits

and general purpose switching applications.

FEATURES

RDS(ON) = 0.26Ω @ VGS = 10V

Ultra low gate charge(40nC max.)

Low reverse transfer capacitance

(CRSS = 3pF typical)

Fast switching capability

100% avalanche energy specified

Improved dv/dt capability

150°C operation temperature

GDS

TO-220AB

(13N60A)

GDS

TO-220F

(13N60AF)

D (Drain)

PRODUCT SUMMARY

ID (A)

VDSS (V)

RDS(ON) (Ω)

QG(nC) max.

600

0.26 @ VGS = 10V

(Gate)

S (Source)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VDSS

Drain to Source voltage

TJ=25°C to 150°C

VDGR

Drain to Gate voltage

RGS=20KΩ

VGS Gate to Source voltage

ID Continuous Drain Current

TC=25°C

TC=100°C

IDM Pulsed Drain current(Note 1)

IAR Avalanche current(Note 1)

EAR Repetitive avalanche energy(Note 1)

lAR=4.3A,RGS=50Ω, VGS=10V

EAS

dv/dt

Single pulse avalanche energy (Note 2)

MOSFET dv/dt ruggedness

Peak diode recovery dv/dt (Note 3)

Total power dissipation (Derate above 25°C)

lAS=4.3A

TC=25°C

TO-220AB

TO-220F

TJ Operation junction temperature

TSTG

Storage temperature

TL Maximum soldering temperature, for 10 seconds 1.6mm from case

Mounting torque, #6-32 or M3 screw

VALUE

600

±30

8.2

4.3

1.2

235

100

116(0.93)

34(0.27)

-55 to 150

300

10 (1.1)

Note: 1.Repetitive rating: pulse width limited by junction temperature..

2.IAS=4.3A, VDD=50V, RGS=25Ω, starting TJ = 25 °C.

3.ISD ≤ 13A, di/dt ≤ 200A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, starting TJ = 25°C.

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UNIT

V /ns

W(W/°C)

ºC

lbf.in (N.m)

SEMICONDUCTOR

■ TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)

13N60 Series RRooHHSS

Nell High Power Products

Fig.2A Switching test circuit

VDS

VGS

10V

Pulse Width ≤ 1µs

Duty Factor ≤ 0.1%

D.U.T.

VDD

Fig.2B Switching Waveforms

VDS

90%

10%

VGS

td(ON)

td(OFF)

Fig.3A Gate charge test circuit

Fig.3B Gate charge waveform

Same Type as

12V 50kΩ D.U.T.

0.2µF

0.3µF

VDS

VGS

3mA

D.U.T.

VGS

10V

QGS

QGD

Charge

Fig.4A Unclamped lnductive switching test circuit

VDS

10V

D.U.T.

VDD

Fig.4B Unclamped lnductive switching

waveforms

BVDSS

lAS

VDD

lD(t)

VDS(t)

Time

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4페이지

SEMICONDUCTOR

Fig.9 Breakdown voltage variation

vs. temperature

1.2

1.1

1.0

0.9 Notes:

1. VGS=0V

2. ID=1mA

0.8

-100 -50 0 50 100 150 200

Junction temperature, TJ (°C)

Fig.11 Maximum drain current vs.case

temperature

50 75 100 125

Case Temperature, TC (°C)

150

13N60 Series RRooHHSS

Nell High Power Products

Fig.10 On-resistance variation vs.

temperature

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

Notes:

0.5 1. VGS=10V

2. ID=6.5A

0.0

-100 -50

50 100 150 200

Drain-to-Source voltage, VDS (V)

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사이트 맺음말

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13N60A	N-Channel Power MOSFET / Transistor	nELL
13N60AF	N-Channel Power MOSFET / Transistor	nELL