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부품번호 | LN1F03A 기능 |
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기능 | AC / DC front end power switching regulator IC | ||
제조업체 | Lii Semiconductor | ||
로고 | |||
LN1F03A/LN1F05A/LN1F07A
澎湃驅動力 源於力生美
REV.C
AC/DC 前端穩壓功率開關積體電路
主要特點
v 前端控制 CC/CV 恒流恒壓輸出
v 輸出 CC/CV 恒流恒壓精度優於±5%
v 輸出電流精度不受變壓器電感量誤差影響
v 內置 750V 高壓功率開關
v 內置 750V 高壓啟動電流源
v 低啟動電流和低工作電流
v 低待機功耗和高轉換效率滿足 5 级能效
v DIP8 的綠色環保封裝
v 週邊簡潔外圍元件少高整機性價比
v 寬電壓輸出功率 3.5W/5.5W/7.5W
應用領域
² 手機充電器
² 旅行充電器
² MP3 等便攜式設備充電器
² LED 恒流驅動電源
² 控制板电源
概述
LN1F0xA 系列是專為輕巧型便攜式充電器
而設計的高性能低成本開關電源控制晶片,採用
電流模式的 PWM/PFM 雙控制方式,在 DIP8 封裝
內集成高壓功率管、高壓啟動電流源和高精度智
慧恒流恒壓控制電路,僅需極少的週邊器件即可
組成滿足精准恒流恒壓要求的手機、MP3 等充電
器電源產品,最大程度上節約了產品的整體成
本,減小了整機體積,IC 內部的高壓啟動恒流
源電路可進一步降低了電路啟動的損耗;在工作
過程中,IC 根據輸入電壓不同自動調整開關占
空比或開關頻率,保證輸出電壓或電流的恒定。
智慧的基於時間常數的控制模式極大地避
免了輸出電流受變壓器電感量及分佈參數的影
響,在全電網電壓範圍內實現輸出恒壓精度和恒
流精度優於±5%的指標。
專有的驅動電路使開關管始終工作於臨界
飽和狀態,提高了系統的工作效率,使系統可以
輕鬆滿足“能源之星”等全球範圍內關於待機
功耗和效率的苛刻認證要求;高效率同時帶來晶
片發熱的下降,可輕鬆應對密封小空間的散熱問
題。
5-16V 的寬工作電壓範圍可使電源在較寬
的輸出電壓範圍內均滿足嚴格的恒流輸出要求。
在全電網電壓下額定輸出功率可達到
3.5W(LN1F03A)/5.5W(LN1F05A)/7.5W(LN1F07A)
IC 內部設計有多種保護功能電路,可即時
防範輸出超載、輸出短路等異常狀況的發生;IC
內部還集成了溫度保護功能,在系統過熱的情況
下關閉輸出,提高了電源的可靠性。
現可提供滿足 ROHS 標準和綠色環保要求的
DIP8 標準封裝產品。
图 1. 系统连接图
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澎湃驅動力 源於力生美
振盪器部分:
符號
Fs
Tonmin
Tonmax
Toffmax
ΔTsT
說明
參考開關頻率
最小開通時間
最大開通時間
最大去磁時間
時間隨溫度變化率
PWM 部分:
符號
DMIN
DMAX
說明
最小開通占空比
最大開通占空比
電流限制部分:
符號
說明
Vth 電流限制門限
TLEB 前沿消隱時間
TILD 電流限制延時
回饋與誤差放大器部分:
符號
VFB
IFB
Gvcc
說明
回饋電壓參考
回饋灌入電流
電源抑制比
電源部分:
符號
IqST
IST
VST
VSTOP
VRST
VSZ
說明
啟動靜態電流
靜態電流
啟動電壓
停止電壓
再啟動電壓
VCC 限制電壓
LN1F03A/LN1F05A/LN1F07A
測試條件
Ta=0-85℃
最小
-
-
典型
60
1.5
12
50
-
最大
-
1
單位
kHz
uS
uS
uS
%
測試條件
VFB=3V
VFB=2V
最小
45
典型
1.5
50
最大
55
單位
%
%
測試條件
最小
0.585
典型
0.60
500
300
最大 單位
0.615 V
nS
nS
測試條件
VFB=2.5V
最小
2.45
-
典型
2.50
200
60
最大
2.55
70
單位
V
nA
dB
測試條件
最小
-
-
-
-
-
典型
15
3.0
9.0
5.5
2.0
16.0
最大
50
-
-
-
-
單位
uA
mA
V
V
V
V
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4페이지 澎湃驅動力 源於力生美
LN1F03A/LN1F05A/LN1F07A
時基誤差信號 Tca,反饋控制電路通過
能。在晶片內部溫度達到140℃時,熱保
Vca 和 Tca 調節開關輸出從而保持輸
護電路動作,輸出被關斷,直至電路重
出電壓穩定或輸出電流穩定,內部電壓
參考基準點 Vth 典型值為 2.5V.
在確定輸出繞組和輔助繞組匝數
後,應根據輸出恒壓模式時的電壓值合
理設定反饋採樣電阻參數,採樣電阻連
接在輔助繞組之上,在電路工作的各個
階段均會承受一定的電壓並產生一定的
功耗,應使用相對大一些的電阻阻值以
新開機。
晶片通過連接於 Pin7,8 腳的導熱
物體將工作時產生的熱量散發出去,因
此應在系統設計時確保連接到 Pin7,8
腳的 PCB 銅箔面積達到一定的大小,在
一個寬電壓輸出 3W 的應用中銅箔面積
應不小於 50mm2 為宜。
減小採樣功耗降低待機功率改善輕載效
率,在一般的應用中可使用一個
Ø PCB 佈線指引
1.Pin7,8 腳應連接足夠的銅箔面
10k-30k 的下拉電阻 R3,再根據下式計
積用於晶片散熱,必要時應將銅箔鍍錫
算上拉電阻 R4 阻值:
處理以增強散熱能力。
R4 = ((Vo + Vd ) * Na −1) * R3
Ns * 2.5
其中,Vo 為額定輸出電壓;Vd 為
輸出二極體正向電壓降;Na 為輔助繞組
匝數;Ns 為輸出繞組匝數。
2.系統工作時 Pin7,8 會在每個週
期的關斷期間反激產生較高的電壓,相
對其它引腳的電壓差最高可達 500V 以
上,因此在 PCB 佈線時應避免其它連線
距離 Pin7,8 腳及相連接的銅箔過於靠
Ø 誤差放大器補償電容 C2
晶片內置電壓反饋誤差放大器,在
近,保留一定的安全距離是非常必要
的,在一般的潮濕條件下,保持不下於
恒壓輸出時,採樣得到的電壓信號經過
1mm 的距離是適宜的。
與內部基準電壓比較後產生電壓誤差
Vca,通過外部補償電容對誤差信號進行
3.Iset 引腳電阻應與芯片的 GND
腳保持較近的連接以減小 PCB 銅箔電
帶寬限制可抑制電路對輸出電壓變化的
阻的影響。
響應速度從而穩定輸出波形並降低噪
聲。在一般的應用中可使用1uF的電容作
4.PIN6,PIN7 之間應保持不小於
1mm的間距。
為誤差補償電容。
Ø 過溫度保護
IC內部集成了精確的過溫度保護功
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