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부품번호 | RB060M-60DD 기능 |
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기능 | Schottky Barrier Diode | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 4 페이지수
Schottky Barrier Diode
RB060M-60DD
Application
General rectification
Dimensions (Unit : mm)
1.6±0.1
0.1±0.1
0.05
Datasheet
AEC-Q101 Qualified
Land size figure (Unit : mm)
1.2
Features
1) Small power mold type.
(PMDU)
2) Low IR.
3) High reliability.
Construction
Silicon epitaxial
PMDU
0.9±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
Manufacture Date
0.8±0.1
Structure
Taping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1 2.0±0.05
φ11..5555±00.0.055
0.25±0.05
1.81±0.1
4.0±0.1
φ11..00±00..11
1.5MAX
Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
VRM
VR
Io
Forward current surge peak (60Hz·1cyc)
Junction temperature
IFSM
Tj
Storage temperature
Tstg
(*1)Mounted on epoxy board. Tc=55°C max.
Limits
60
60
2
30
150
40 to 150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics (Ta = 25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max.
Forward voltage
Reverse current
VF1 - - 0.52
VF2 - - 0.61
IR - - 50
Unit Conditions
V IF=1.0A
V IF=2.0A
A VR=60V
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2015.08 - Rev.C
RB060M-60DD
2
1.5
DC
1
D = 1/2
0.5 Sin(θ=180)
0
0 20 40 60
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
30
No Break at 30kV
25
20
15
AVE : 8.30kV
10
5
0
C=200pF
C=100pF
R=0
R=1.5k
ESD DISPERSION MAP
Data Sheet
5
4
DC
3
D = 1/2
2
Sin(θ=180)
1
0
0 25 50 75 100 125 150
CASE TEMPARATURE : Tc(°C)
DERATING CURVE (Io-Tc)
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2015.08 - Rev.C
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RB060M-60DD | Schottky Barrier Diode | ROHM Semiconductor |
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