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RGT30NS65D 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RGT30NS65D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RGT30NS65D 자료 제공

부품번호 RGT30NS65D 기능
기능 Field Stop Trench IGBT
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RGT30NS65D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RGT30NS65D 데이터시트, 핀배열, 회로
RGT30NS65D
650V 15A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES
IC(100°C)
VCE(sat) (Typ.)
PD
650V
15A
1.65V
133W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
(RFN - Series)
lOutline
LPDS (TO-263S)
(2)
(1)
(3)
lInner Circuit
(2)
*1
(1)
(3)
(1) Gate
(2) Collector
(3) Emitter
*1 Built in FRD
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
lApplications
General Inverter
lPackaging Specifications
Packaging
Reel Size (mm)
Taping
330
UPS
Power Conditioner
Tape Width (mm)
Type
Basic Ordering Unit (pcs)
24
1,000
Welder
Taping Code
TL
Marking
RGT30NS65D
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector - Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
TC = 100°C
Diode Forward Current
Diode Pulsed Forward Current
TC = 25°C
TC = 100°C
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
TC = 25°C
TC = 100°C
Storage Temperature
*1 Pulse width limited by Tjmax.
VCES
VGES
IC
IC
ICP*1
IF
IF
IFP*1
PD
PD
Tj
Tstg
650
30
30
15
45
26
15
45
133
66
-40 to +175
-55 to +175
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
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2014.05 - Rev.A




RGT30NS65D pdf, 반도체, 판매, 대치품
RGT30NS65D
Data Sheet
lFRD Electrical Characteristics (at Tj = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Values
Typ.
Max.
IF = 15A
Diode Forward Voltage
VF Tj = 25°C
- 1.5 1.95
Tj = 175°C
- 1.3 -
Unit
V
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery
Charge
trr
IF = 15A
VCC = 400V
Irr diF/dt = 200A/μs
Tj = 25°C
Qrr
- 55 - ns
- 6.0 -
A
- 0.19 -
μC
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery
Charge
trr
IF = 15A
VCC = 400V
Irr diF/dt = 200A/μs
Tj = 175°C
Qrr
- 141 -
ns
- 9.5 -
A
- 0.79 -
μC
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RGT30NS65D 전자부품, 판매, 대치품
RGT30NS65D
lElectrical Characteristic Curves
Data Sheet
Fig.9 Typical Collector To Emitter Saturation Voltage
vs. Gate To Emitter Voltage
20
Tj= 25ºC
Fig.10 Typical Collector To Emitter Saturation Voltage
vs. Gate To Emitter Voltage
20
Tj= 175ºC
15 IC= 30A
10 IC= 15A
IC= 8A
5
15
IC= 30A
10 IC= 15A
IC= 8A
5
0
5 10 15 20
Gate To Emitter Voltage : VGE [V]
0
5 10 15 20
Gate To Emitter Voltage : VGE [V]
Fig.11 Typical Switching Time
vs. Collector Current
1000
VCC=400V, VGE=15V
RG=10Ω, Tj=175ºC
Inductive oad
100
tf
td(off)
tr
td(on)
10
0
10 20 30
Collector Current : IC [A]
40
Fig.12 Typical Switching Time
vs. Gate Resistance
1000
VCC=400V, IC=15A
VGE=15V, Tj=175ºC
Inductive oad
tf
100
td(off)
tr
td(on)
10
0 10 20 30 40
Gate Resistance : RG [Ω]
50
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