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RGTH00TS65D 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RGTH00TS65D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RGTH00TS65D 자료 제공

부품번호 RGTH00TS65D 기능
기능 Field Stop Trench IGBT
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RGTH00TS65D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RGTH00TS65D 데이터시트, 핀배열, 회로
RGTH00TS65D
650V 50A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES
IC(100°C)
VCE(sat) (Typ.)
PD
650V
50A
1.6V
277W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
(RFN - Series)
lOutline
TO-247N
lInner Circuit
(1)(2)(3)
(2)
*1
(1)
(3)
(1) Gate
(2) Collector
(3) Emitter
*1 Built in FRD
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
lApplications
PFC
lPackaging Specifications
Packaging
Reel Size (mm)
Tube
-
UPS
Power Conditioner
Tape Width (mm)
Type
Basic Ordering Unit (pcs)
-
450
IH
Taping Code
C11
Marking
RGTH00TS65D
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector - Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
TC = 100°C
Diode Forward Current
Diode Pulsed Forward Current
TC = 25°C
TC = 100°C
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
TC = 25°C
TC = 100°C
Storage Temperature
*1 Pulse width limited by Tjmax.
VCES
VGES
IC
IC
ICP*1
IF
IF
IFP*1
PD
PD
Tj
Tstg
650
30
85
50
200
50
30
200
277
138
-40 to +175
-55 to +175
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
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2014.05 - Rev.B




RGTH00TS65D pdf, 반도체, 판매, 대치품
RGTH00TS65D
Data Sheet
lIGBT Electrical Characteristics (at Tj = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ.
Max.
IF = 30A
Diode Forward Voltage
VF Tj = 25°C
- 1.45 2.0
Tj = 175°C
- 1.25 -
Unit
V
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery
Charge
trr
IF = 30A
VCC = 400V
Irr diF/dt = 200A/μs
Tj = 25°C
Qrr
- 54 - ns
- 7.4 -
A
- 0.22 -
μC
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery
Charge
trr
IF = 30A
VCC = 400V
Irr diF/dt = 200A/μs
Tj = 175°C
Qrr
- 225 -
ns
- 12.8 -
A
- 1.60 -
μC
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RGTH00TS65D 전자부품, 판매, 대치품
RGTH00TS65D
lElectrical Characteristic Curves
Data Sheet
Fig.9 Typical Collector To Emitter Saturation Voltage
vs. Gate To Emitter Voltage
20
Tj= 25ºC
Fig.10 Typical Collector To Emitter Saturation Voltage
vs. Gate To Emitter Voltage
20
Tj= 175ºC
15 IC= 100A
10 IC= 50A
IC= 25A
5
15
IC= 100A
10 IC= 50A
IC= 25A
5
0
5 10 15 20
Gate To Emitter Voltage : VGE [V]
0
5 10 15 20
Gate To Emitter Voltage : VGE [V]
Fig.11 Typical Switching Time
vs. Collector Current
1000
Fig.12 Typical Switching Time
vs. Gate Resistance
1000
td(off)
100 tf
td(on)
10
0
VCC=400V, VGE=15V
RG=10Ω, Tj=175ºC
tr Inductive oad
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Collector Current : IC [A]
td(off)
100 tf
tr
td(on)
10
0
10
VCC=400V, IC=50A
VGE=15V, Tj=175ºC
Inductive oad
20 30 40 50
Gate Resistance : RG [Ω]
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