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RHU002N06FRA 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RHU002N06FRA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RHU002N06FRA 자료 제공

부품번호 RHU002N06FRA 기능
기능 4V Drive Nch MOS FET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RHU002N06FRA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RHU002N06FRA 데이터시트, 핀배열, 회로
4V Drive Nch MOSFET
RHU002N06FRA
Structure
Silicon N-channel
MOSFET transistor
Features
1) Low on-resistance.
2) High ESD.
3) High-speed switching.
4) Low-voltage drive (4V).
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.
AEC-Q101 Qualified
Dimensions (Unit : mm)
UMT3
SOT-323
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2 0.7
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
(2) (1)
0.65 0.65
1.3
0.15
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : KP
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Code
Type
Basic ordering unit (pieces)
RRHHUU000022NN0066FRA
Taping
T106
3000
Equivalent circuit
(3)
(2) 2
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
VDSS
Gate-source voltage
VGSS
Drain current
Continuous
Pulsed
ID
IDP 1
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
IS
ISP 1
PD 2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
1 Pw10μs, Duty cycle1%
2 Each terminal mounted on a recommended
Limits
60
±20
±200
±800
200
800
200
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Channel to ambient
Rth (ch-a)
With each pin mounted on the recommended land.
Limits
625
Unit
°C / W
1
1 ESD PROTECTION DIODE (1)
2 BODY DIODE
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
A protection diode has been built in between the
gate and the source to protect against static
electricity when the product is in use.
Use the protection circuit when fixed voltages are
exceeded.
www.rohm.com
c 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/3
2012.05 - Rev.C





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