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부품번호 | SISS27DN-T1-GE3 기능 |
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기능 | 30V P-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Kexin | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
SMD Type
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The SISS27DN uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge.
This device is ideal for load switch and battery protection
applications.
• RoHS and Halogen-Free Compliant
VDS
ID (at VGS= -10V)
RDS(ON) (at VGS= -10V)
RDS(ON) (at VGS = -6V)
-30V
-50A
< 6.2mΩ
< 8.9mΩ
100% UIS Tested
100% Rg Tested
PowerPAK 1212-8S
Top View
Bottom
Pin 1
Top View
18
27
36
45
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain TC=25°C
CurrentG
TC=100°C
Pulsed Drain Current C
ID
IDM
Continuous Drain
TA=25°C
Current
TA=70°C
Avalanche Current C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH C
IDSM
IAR, IAS
EAR, EAS
TC=25°C
Power Dissipation B TC=100°C
PD
TA=25°C
Power Dissipation A TA=70°C
PDSM
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Maximum
-30
±25
-50
-39
-210
-25
-20
-44
97
83
33
6.25
4
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJC
Typ
16
45
1.1
Max
20
55
1.5
D
S
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
SMD Type
MOSFET
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
VDS=-15V
8 ID=-20A
6
4
2
0
0 10 20 30 40
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
4000
3500
3000
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
500
0 Crss
50 0 5 10 15 20 25
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
1000.0
100.0
RDS(ON)
10.0
1.0
10µs
10µs
100µs
1ms
DC
0.1 TJ(Max)=150°C
TC=25°C
0.0
0.01 0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
400
350
300
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
250 17
200 5
2
150 10
100
50
0
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
0
Figure
10:
Single
Pulse
Pulse
WPoidwther(Rs)ati1n8g
Junction-to-
Case (Note F)
10
D=Ton/T
In descending order
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJC=1.5°C/W
1
40
0.1
0.01
0.00001
PD
Single Pulse
Ton
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
1
10
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SISS27DN-T1-GE3 | 30V P-Channel MOSFET | Kexin |
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