Datasheet.kr   

SISS27DN-T1-GE3 데이터시트 PDF




Kexin에서 제조한 전자 부품 SISS27DN-T1-GE3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SISS27DN-T1-GE3 자료 제공

부품번호 SISS27DN-T1-GE3 기능
기능 30V P-Channel MOSFET
제조업체 Kexin
로고 Kexin 로고


SISS27DN-T1-GE3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

SISS27DN-T1-GE3 데이터시트, 핀배열, 회로
SMD Type
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The SISS27DN uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge.
This device is ideal for load switch and battery protection
applications.
• RoHS and Halogen-Free Compliant
VDS
ID (at VGS= -10V)
RDS(ON) (at VGS= -10V)
RDS(ON) (at VGS = -6V)
-30V
-50A
< 6.2m
< 8.9m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
PowerPAK 1212-8S
Top View
Bottom
Pin 1
Top View
18
27
36
45
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain TC=25°C
CurrentG
TC=100°C
Pulsed Drain Current C
ID
IDM
Continuous Drain
TA=25°C
Current
TA=70°C
Avalanche Current C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH C
IDSM
IAR, IAS
EAR, EAS
TC=25°C
Power Dissipation B TC=100°C
PD
TA=25°C
Power Dissipation A TA=70°C
PDSM
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Maximum
-30
±25
-50
-39
-210
-25
-20
-44
97
83
33
6.25
4
-55 to 150
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t 10s
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJC
Typ
16
45
1.1
Max
20
55
1.5
D
S
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W




SISS27DN-T1-GE3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SMD Type
MOSFET
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
VDS=-15V
8 ID=-20A
6
4
2
0
0 10 20 30 40
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
4000
3500
3000
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
500
0 Crss
50 0 5 10 15 20 25
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
1000.0
100.0
RDS(ON)
10.0
1.0
10µs
10µs
100µs
1ms
DC
0.1 TJ(Max)=150°C
TC=25°C
0.0
0.01 0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
400
350
300
TJ(Max)=150°C
TC=25°C
250 17
200 5
2
150 10
100
50
0
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
0
Figure
10:
Single
Pulse
Pulse
WPoidwther(Rs)ati1n8g
Junction-to-
Case (Note F)
10
D=Ton/T
In descending order
TJ,PK=TC+PDM.ZθJC.RθJC
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJC=1.5°C/W
1
40
0.1
0.01
0.00001
PD
Single Pulse
Ton
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
1
10

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ SISS27DN-T1-GE3.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
SISS27DN-T1-GE3

30V P-Channel MOSFET

Kexin
Kexin

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵