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RGTH60TS65 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RGTH60TS65은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RGTH60TS65 자료 제공

부품번호 RGTH60TS65 기능
기능 Field Stop Trench IGBT
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RGTH60TS65 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RGTH60TS65 데이터시트, 핀배열, 회로
RGTH60TS65
650V 30A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES
IC(100°C)
VCE(sat) (Typ.)
PD
650V
30A
1.6V
194W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) High Speed Switching
3) Low Switching Loss & Soft Switching
4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
lOutline
TO-247N
lInner Circuit
(2)
(1)(2)(3)
(1)
(1) Gate
(2) Collector
(3) Emitter
(3)
lApplications
PFC
lPackaging Specifications
Packaging
Tube
UPS
Reel Size (mm)
-
Power Conditioner
IH
Tape Width (mm)
Type
Basic Ordering Unit (pcs)
-
450
Taping Code
C11
Marking
RGTH60TS65
lAbsolute Maximum Ratings (at TC = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector - Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Collector Current
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
TC = 100°C
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
TC = 25°C
TC = 100°C
Storage Temperature
*1 Pulse width limited by Tjmax.
VCES
VGES
IC
IC
ICP*1
PD
PD
Tj
Tstg
650
30
58
30
120
194
97
-40 to +175
-55 to +175
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
www.rohm.com
© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2014.05 - Rev.B




RGTH60TS65 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RGTH60TS65
lElectrical Characteristic Curves
Data Sheet
Fig.1 Power Dissipation vs. Case Temperature
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25 50 75 100 125 150 175
Case Temperature : Tc [ºC]
Fig.2 Collector Current vs. Case Temperature
70
60
50
40
30
20
 
10
Tj175ºC
VGE15V
0
0 25 50
75 100 125 150 175
Case Temperature : Tc [ºC]
Fig.3 Forward Bias Safe Operating Area
1000
100
10µs
10
100µs
1
0.1
0.01
1
TC= 25ºC
Single Pulse
10
100 1000
Collector To Emitter Voltage : VCE[V]
Fig.4 Reverse Bias Safe Operating Area
160
140
120
100
80
60
40
20 Tj175ºC
VGE=15V
0
0 200 400 600 800
Collector To Emitter Voltage : VCE[V]
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RGTH60TS65 전자부품, 판매, 대치품
RGTH60TS65
lElectrical Characteristic Curves
Fig.13 Typical Switching Energy Losses
vs. Collector Current
10
Data Sheet
Fig.14 Typical Switching Energy Losses
vs. Gate Resistance
10
1
Eoff
0.1 Eon
0.01
0
VCC=400V, VGE=15V
RG=10Ω, Tj=175ºC
Inductive oad
10 20 30 40 50 60
Collector Current : IC [A]
1 Eoff
Eon
0.1
0.01
0
VCC=400V, IC=30A
VGE=15V, Tj=175ºC
Inductive oad
10 20 30 40 50
Gate Resistance : RG [Ω]
Fig.15 Typical Capacitance
vs. Collector To Emitter Voltage
10000
Cies
1000
Coes
100
10 Cres
f=1MHz
VGE=0V
Tj=25ºC
1
0.01 0.1 1 10 100
Collector To Emitter Voltage : VCE[V]
Fig.16 Typical Gate Charge
15
10
5
VCC=300V
IC=30A
Tj=25ºC
0
0 10 20 30 40 50 60
Gate Charge : Qg [nC]
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