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MMBT2222A 데이터시트 PDF




SeCoS에서 제조한 전자 부품 MMBT2222A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMBT2222A 자료 제공

부품번호 MMBT2222A 기능
기능 General Purpose Transistor
제조업체 SeCoS
로고 SeCoS 로고


MMBT2222A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MMBT2222A 데이터시트, 핀배열, 회로
Elektronische Bauelemente
MMBT2222A
NPN Silicon
General Purpose Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free
FEATURES
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary PNP Type Available
(MMBT2907A)
Ideal for Medium Power Amplification and
Switching
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
A
L
3
Top View
12
BS
3
1
2
VG
C
D
HK
J
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2222
2222A Unit
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current — Continuous
THERMAL CHARACTERISTICS
VCEO
VCBO
VEBO
IC
30 40
60 75
5.0 6.0
600
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25°C
Symbol
PD
Max Unit
225 mW
1.8 mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25°C
RqJA
PD
556 °C/W
300 mW
2.4 mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
DEVICE MARKING
RqJA
TJ, Tstg
417
– 55 to +150
°C/W
°C
MMBT2222 = M1B; MMBT2222A = 1P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0)
MMBT2222
MMBT2222A
V(BR)CEO
Collector – Base Breakdown Voltage (IC = 10 mAdc, IE = 0)
MMBT2222
MMBT2222A
V(BR)CBO
Emitter – Base Breakdown Voltage (IE = 10 mAdc, IC = 0)
MMBT2222
MMBT2222A
V(BR)EBO
SOT-23
Dim Min Max
A 2.800 3.040
B 1.200 1.400
C 0.890 1.110
D 0.370 0.500
G 1.780 2.040
H 0.013 0.100
J 0.085 0.177
K 0.450 0.600
L 0.890 1.020
S 2.100 2.500
V 0.450 0.600
All Dimension in mm
Min Max Unit
30 — Vdc
40 —
60 — Vdc
75 —
5.0 — Vdc
6.0 —
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current (VCB = 50 Vdc, IE = 0)
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 50 Vdc, IE = 0, TA = 125°C)
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 125°C)
Emitter Cutoff Current (VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
Base Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
1. FR±5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
MMBT2222A
ICEX
10 nAdc
MMBT2222
ICBO — 0.01 µAdc
MMBT2222A
— 0.01
MMBT2222
— 10
MMBT2222A
— 10
MMBT2222A
IEBO
100 nAdc
MMBT2222A
IBL
— 20 nAdc
REM : Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.
http://www.SeCoSGmbH.com
Any changing of specification will not be informed individual
01-Jun-2002 Rev. A
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MMBT2222A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Elektronische Bauelemente
MMBT2222A
NPN Silicon
General Purpose Transistor
200
IC/IB = 10
100 TJ = 25°C
70
50
tr @ VCC = 30 V
td @ VEB(off) = 2.0 V
30 td @ VEB(off) = 0
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC, Collector Current (mA)
200 300 500
Figure 5. Turn – On Time
10
RS = OPTIMUM
8.0
IC = 1.0 mA, RS = 150
500 µA, RS = 200
RS = SOURCE
RS = RESISTANCE
100 µA, RS = 2.0 k
6.0 50 µA, RS = 4.0 k
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
f, Frequency (kHz)
50 100
Figure 7. Frequency Effects
30
20
Ceb
10
7.0
5.0
Ccb
3.0
2.0
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
Reverse Voltage (V)
Figure 9. Capacitances
20 30 50
500
300
200 ts = ts – 1/8 tf
100
70
50 tf
30
20
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC, Collector Current (mA)
200 300 500
Figure 6. Turn – Off Time
10
f = 1.0 kHz
8.0
IC = 50 µA
100 µA
6.0 500 µA
1.0 mA
4.0
2.0
0
50 100 200
500 1.0 k 2.0 k 5.0 k 10 k 20 k 50 k 100 k
RS, Source Resistance (OHMS)
Figure 8. Source Resistance Effects
500
VCE = 20 V
TJ = 25°C
300
200
100
70
50
1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30
IC, Collector Current (mA)
50 70 100
Figure 10. Current–Gain Bandwidth Product
http://www.SeCoSGmbH.com
01-Jun-2002 Rev. A
Any changing of specification will not be informed individual
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