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RQJ0302NGDQA 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RQJ0302NGDQA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RQJ0302NGDQA 자료 제공

부품번호 RQJ0302NGDQA 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RQJ0302NGDQA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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RQJ0302NGDQA 데이터시트, 핀배열, 회로
RQJ0302NGDQA
Silicon P Channel MOS FET
Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 138 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –1.1 A)
Low drive current
High speed switching
4.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
1
2
Note: Marking is “NG”.
Preliminary Datasheet
R07DS0294EJ0600
Rev.6.00
Jan 10, 2014
3
D
G 1. Source
2 2. Gate
3. Drain
S
1
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(Pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 μs, duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4: 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
–30
+10 / –20
–2.2
–5
–2.2
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
R07DS0294EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
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RQJ0302NGDQA pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQJ0302NGDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
0.8
Pulse Test
Tc = 25°C
0.6
0.4 1.0 A
0.5 A
0.2 0.2 A
0
0 4 8 12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
400
Pulse Test
350 VGS = 4.5 V
300 ID = 1 A
250
200 0.5 A
0.2 A
150
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = 10 V
3
–25°C
1
Tc = 75°C
25°C
0.3
0.1
0.1
0.3
Drain Current ID (A)
1
Preliminary
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1.0
Pulse Test
Tc = 25°C
0.3 VDS = 4.5 V
0.1 10 V
0.03
0.01
0.1
0.3
1.0 3
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
300
Pulse Test
250 VGS = 10 V
200 ID = 1 A
0.5 A
150
0.2 A
100
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
1000
100
Pulse Test
VGS = 0 V
VDS = –30 V
10
1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
R07DS0294EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
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RQJ0302NGDQA 전자부품, 판매, 대치품
RQJ0302NGDQA
Ordering Information
Orderable Part Number
Quantity
RQJ0302NGDQATL-H 3000 pcs.
Preliminary
Shipping Container
φ178 mm reel, 8 mm Emboss taping
R07DS0294EJ0600 Rev.6.00
Jan 10, 2014
Page 7 of 7

7페이지


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