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RQJ0305EQDQS 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RQJ0305EQDQS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RQJ0305EQDQS 자료 제공

부품번호 RQJ0305EQDQS 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RQJ0305EQDQS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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RQJ0305EQDQS 데이터시트, 핀배열, 회로
RQJ0305EQDQS
Silicon P Channel MOS FET
Power Switching
Features
Low gate drive
VDSS : –30 V and 2.5 V gate drive
Low drive current
High speed switching
Small traditional power package (UPAK)
Outline
RENESAS package code: PLZZ0004CA-A
(Package name: UPAK R )
1
2
3
4
1G
Notes: Marking is "EQ".
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
Thermal resistance
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Rth(ch-a) Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 µs, Duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
REJ03G1779-0100
Rev.1.00
Mar 16, 2009
2, 4
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
S
3
Ratings
–30
+8 / –12
–3.4
–12
3.4
1.5
83
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C /W
°C
°C
REJ03G1779-0100 Rev.1.00 Mar 16, 2009
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RQJ0305EQDQS pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQJ0305EQDQS
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
–0.5
Pulse Test
Tc = 25°C
–0.4
–0.3
–0.2
ID = –2.4 A
–2.0 A
–0.1
0
0
–1.5 A
–1.0 A
–2 –4 –6 –8 –10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
0.3
ID = –2.4 A
0.25 –2.0 A
–1.5 A
0.2
–1.0 A
0.15 –0.5A
0.1
0.05 Pulse Test
VGS = –2.5 V
0
–25 0 25 50
75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = –10 V
–25°C
25°C
Tc = 75°C
1
–0.1 –1 –10
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
VGS = –2.5 V
–4.5 V
0.1 –10 V
0.01
–0.1
Pulse Test
Tc = 25°C
–1 –10 –100
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
0.2
0.16
–1.5 A
ID = –2.4 A
–2.0 A
0.12 –1.0 A
–0.5A
0.08
0.02
Pulse Test
VGS = –4.5 V
0
–25 0 25 50
75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
–10000
Pulse Test
VGS = 0 V
–1000 VDS = –30 V
–100
–10
–1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
REJ03G1779-0100 Rev.1.00 Mar 16, 2009
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RQJ0305EQDQS 전자부품, 판매, 대치품
RQJ0305EQDQS
Package Dimensions
Package Name
UPAK
JEITA Package Code
SC-62
RENESAS Code
PLZZ0004CA-A
Previous Code
UPAK / UPAKV
MASS[Typ.]
0.050g
4.5 ± 0.1
1.8 Max
φ1
0.53 Max
0.48 Max
1.5 1.5
3.0
1.5 ± 0.1
0.44 Max
0.44 Max
(1.5)
Unit: mm
Ordering Information
Part No.
RQJ0305EQDQSTL-E
Quantity
1000 pcs.
Shipping Container
φ178 mm reel, 12 mm Emboss taping
REJ03G1779-0100 Rev.1.00 Mar 16, 2009
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