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RQJ0306FQDQA 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RQJ0306FQDQA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RQJ0306FQDQA 자료 제공

부품번호 RQJ0306FQDQA 기능
기능 Silicon P-Channel MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RQJ0306FQDQA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RQJ0306FQDQA 데이터시트, 핀배열, 회로
RQJ0306FQDQA
Silicon P Channel MOS FET
Power Switching
Features
Low gate drive
VDSS : –30 V and 2.5 V gate drive
Low drive current
High speed switching
Small traditional package (MPAK)
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
1
2
Notes: Marking is "FQ".
Preliminary Datasheet
R07DS0298EJ0300
Rev.3.00
Jan 10, 2014
3
D
2
G
S
1
1. Source
2. Gate
3. Drain
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 μs, Duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
–30
+8 / –12
–3
–12
3
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
R07DS0298EJ0300 Rev.3.00
Jan 10, 2014
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RQJ0306FQDQA pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQJ0306FQDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
–0.5
–0.4
Pulse Test
Tc = 25°C
–0.3
–0.2
–0.1
0
0
ID = –3.0 A
–2.0 A
–1.5 A
–1.0 A
–0.5 A
–2 –4 –6 –8 –10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
0.25
0.2 ID = –3.0 A
0.15
0.1
–2.5 A
–2.0 A
–1.5 A
–1.0A
–0.5A
0.05
Pulse Test
VGS = –2.5 V
0
–25 0 25 50
75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = –10 V
–25°C
25°C
Tc = 75°C
1
–0.1 1
10
Drain Current ID (A)
Preliminary
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
VGS = –2.5 V
–4.5 V
0.1
–10 V
0.01
–0.1
Pulse Test
Tc = 25°C
–1 –10 –100
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
0.14
0.12
ID = –3.0 A
–2.5 A
0.1 –2.0 A
0.08
0.06
–1.5 A
–1.0A
–0.5A
0.04
0.02
0
–25 0
Pulse Test
VGS = –4.5 V
25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
–10000
Pulse Test
VGS = 0 V
–1000 VDS = –30 V
–100
–10
–1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
R07DS0298EJ0300 Rev.3.00
Jan 10, 2014
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RQJ0306FQDQA 전자부품, 판매, 대치품
RQJ0306FQDQA
Package Dimensions
JEITA Package Code
SC-59A
Preliminary
RENESAS Code
PLSP0003ZB-A
Previous Code
MPAK(T) / MPAK(T)V
MASS (Typ) [g]
0.011
D
e
A
Qc
E HE
AA
xM S A
b
L
L1
A3
LP
b
c
A-A Section
A2 A
A1
S
Reference Dimensions in millimeters
Symbol Min Nom Max
A 1.0 1.3
A1 0 0.1
A2 1.0 1.1 1.2
A3 0.25
b 0.35 0.4 0.5
c 0.1 0.16 0.26
D 2.7 3.1
E 1.35 1.5 1.65
e 0.95
HE 2.2 2.8 3.0
L 0.35 0.75
L1 0.15 0.55
LP 0.25 0.65
x ⎯ ⎯ 0.05
Q 0.3
© 2013 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.
R07DS0298EJ0300 Rev.3.00
Jan 10, 2014
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