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RQK2501YGDQA 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RQK2501YGDQA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RQK2501YGDQA 자료 제공

부품번호 RQK2501YGDQA 기능
기능 Silicon N-Channel MOS FET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RQK2501YGDQA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RQK2501YGDQA 데이터시트, 핀배열, 회로
RQK2501YGDQA
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
High drain to source voltage and Low gate drive
VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive
Low drive current
High speed switching
Small traditional package (MPAK)
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
1
2
Preliminary Datasheet
R07DS0312EJ0400
Rev.4.00
Jan 10, 2014
3
D
2
G
S
1
1. Source
2. Gate
3. Drain
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
VDSS
Gate to source voltage
VGSS
Drain current
Drain peak current
ID
ID(pulse) Note1
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 μs, Duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
250
±10
0.4
1.6
0.4
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
R07DS0312EJ0400 Rev.4.00
Jan 10, 2014
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RQK2501YGDQA pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQK2501YGDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
3.0
Pulse Test
Tc = 25°C
2.5
2.0
0.4 A
1.5
1.0 0.2 A
0.5 0.1 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
10
8
ID = 0.4 A
6
4
2
0
–25 0
0.2 A
0.1 A
Pulse Test
VGS = 4 V
25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = 10 V
1 –25°C
25°C
0.1 Tc = 75°C
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Preliminary
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Pulse Test
Tc = 25°C
10 VGS = 2.5 V
10 V
4.5 V
1
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
10
Pulse Test
VGS = 2.5 V
8
ID = 0.4 A
6
0.1A
4 0.2 A
2
0
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
10
Pulse Test
VGS = 0 V
1 VDS = 250 V
0.1
0.01
0.001
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
R07DS0312EJ0400 Rev.4.00
Jan 10, 2014
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RQK2501YGDQA 전자부품, 판매, 대치품
RQK2501YGDQA
Package Dimensions
JEITA Package Code
SC-59A
Preliminary
RENESAS Code
PLSP0003ZB-A
Previous Code
MPAK(T) / MPAK(T)V
MASS (Typ) [g]
0.011
D
e
A
Qc
E HE
AA
xM S A
b
L
L1
A3
LP
b
c
A-A Section
A2 A
A1
S
Reference Dimensions in millimeters
Symbol Min Nom Max
A 1.0 1.3
A1 0 0.1
A2 1.0 1.1 1.2
A3 0.25
b 0.35 0.4 0.5
c 0.1 0.16 0.26
D 2.7 3.1
E 1.35 1.5 1.65
e 0.95
HE 2.2 2.8 3.0
L 0.35 0.75
L1 0.15 0.55
LP 0.25 0.65
x ⎯ ⎯ 0.05
Q 0.3
© 2013 Renesas Electronics Corporation. All rights reserved.
R07DS0312EJ0400 Rev.4.00
Jan 10, 2014
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