Datasheet.kr   

NP100N04NUJ 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 NP100N04NUJ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NP100N04NUJ 자료 제공

부품번호 NP100N04NUJ 기능
기능 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


NP100N04NUJ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

NP100N04NUJ 데이터시트, 핀배열, 회로
NP100N04NUJ
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Preliminary Data Sheet
R07DS0364EJ0100
Rev.1.00
Jun 13, 2011
Description
The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Super low on-state resistance
RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
High current rating: ID(DC) = ±100 A
Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
Ordering Information
Part No.
NP100N04NUJ–S18-AY 1
Lead Plating
Pure Sn (Tin)
Packing
Tube 50 p/tube
Note: 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)
Package
TO-262 (MP-25SK) TYP. 1.8g
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)
Item
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
Drain Current (DC) (TC = 25°C)
Drain Current (pulse) 1
Total Power Dissipation (TC = 25°C)
Total Power Dissipation (TA = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Repetitive Avalanche Current 2
Repetitive Avalanche Energy 2
Symbol
VDSS
VGSS
ID(DC)
ID(pulse)
PT1
PT2
Tch
Tstg
IAR
EAR
Ratings
40
±20
±100
±400
220
1.8
175
55 to +175
60
360
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
Thermal Resistance
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance 2
Rth(ch-C)
Rth(ch-A)
Notes: 1. TC = 25°C, PW 10 μs, Duty Cycle 1%
2. Tch(peak) 150°C, RG = 25 Ω
0.68
83.3
°C/W
°C/W
R07DS0364EJ0100 Rev.1.00
Jun 13, 2011
Page 1 of 6




NP100N04NUJ pdf, 반도체, 판매, 대치품
NP100N04NUJ
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VGS = 10 V
Pulsed
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
VDS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
5
VDS = VGS
4 ID = 250 μA
3
2
1
0
-100 -50 0 50 100 150 200
Tch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
3
2
1
0
0.1
VGS = 10 V
Pulsed
1 10 100 1000
ID - Drain Current - A
R07DS0364EJ0100 Rev.1.00
Jun 13, 2011
Chapter Title
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
0.1
TA = 55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
0.01 VDS = 10 V
Pulsed
0.001
01234
VGS - Gate to Source Voltage - V
5
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs. DRAIN
CURRENT
1000
100
TA = 55°C
25°C
25°C
75°C
VDS = 10 V
Pulsed
10
1
0.1
125°C
150°C
175°C
1 10
ID - Drain Current - A
100
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
9
8 ID = 100 A
50 A
7 20 A
6
5
4
3
2
1 Pulsed
0
0 5 10 15 20
VGS - Gate to Source Voltage - V
Page 4 of 6

4페이지










NP100N04NUJ 전자부품, 판매, 대치품
Revision History
NP100N04NUJ Data Sheet
Rev.
1.00
Date
Jun 13, 2011
Page
First Edition Issued
Description
Summary
All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
C-1

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ NP100N04NUJ.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
NP100N04NUJ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Renesas
Renesas

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵