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RJH60D3DPP-M0 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 RJH60D3DPP-M0은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RJH60D3DPP-M0 자료 제공

부품번호 RJH60D3DPP-M0 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


RJH60D3DPP-M0 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RJH60D3DPP-M0 데이터시트, 핀배열, 회로
Preliminary Datasheet
RJH60D3DPP-M0
600V - 17A - IGBT
Application: Inverter
R07DS0162EJ0400
Rev.4.00
Apr 19, 2012
Features
Short circuit withstand time (5 s typ.)
Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
tf = 70 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 17 A, Rg = 5 , Ta = 25°C)
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AF-A
(Package name: TO-220FL)
C
1
23
1. Gate
2. Collector
G 3. Emitter
E
Absolute Maximum Ratings
Item
Collector to emitter voltage / diode reverse voltage
Gate to emitter voltage
Collector current
Tc = 25°C
Tc = 100°C
Collector peak current
Collector to emitter diode forward current
Collector to emitter diode forward peak current
Collector dissipation
Junction to case thermal resistance (IGBT)
Junction to case thermal resistance (Diode)
Junction temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 s, duty cycle 1%
2. Value at Tc = 25C
Symbol
VCES / VR
VGES
IC
IC
ic(peak) Note1
iDF
iDF(peak) Note1
PC Note2
j-c Note2
j-cd Note2
Tj
Tstg
Ratings
600
±30
35
17
70
17
70
40
3.15
4.9
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
°C/ W
°C/ W
°C
°C
R07DS0162EJ0400 Rev.4.00
Apr 19, 2012
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RJH60D3DPP-M0 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RJH60D3DPP-M0
Collector to Emitter Satularion Voltage vs.
Gate to Emitter Voltage (Typical)
5
Tc = 25°C
Pulse Test
4
IC = 17 A
35 A
3
2
1
4 8 12 16 20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Transfer Characteristics (Typical)
70
60
Tc = 25°C
50
150°C
40
30
20
10 VCE = 10 V
Pulse Test
0
0 4 8 12 16 20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Gate to Emitter Cutoff Voltage
vs. Case Temparature (Typical)
10
8
6 IC = 10 mA
4
1 mA
2
VCE = 10 V
Pulse Test
0
25 0 25
50
75 100 125 150
Case Temparature Tc (°C)
Preliminary
Collector to Emitter Satularion Voltage vs.
Gate to Emitter Voltage (Typical)
6
Tc = 150°C
Pulse Test
5
IC = 17 A
4
35 A
3
2
1
4 8 12 16 20
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Case Temparature (Typical)
2.8
VGE = 15 V
Pulse Test
2.4
IC = 35 A
2.0
17 A
1.6 8.5 A
1.2
25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temparature Tc (°C)
Frequency Characteristics (Typical)
10
80
Collector current wave
(Square wave)
6
4 Tj = 125°C
Tc = 90°C
2
VCE = 400 V
VGE = 15 V
Rg = 5 Ω
duty = 50%
0
1 10
100
Frequency f (kHz)
1000
R07DS0162EJ0400 Rev.4.00
Apr 19, 2012
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RJH60D3DPP-M0 전자부품, 판매, 대치품
RJH60D3DPP-M0
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (IGBT)
10
Tc = 25°C
Preliminary
1 D=1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
1 shot pulse
0.01
100 μ
1m
θj – c(t) = γs (t) • θj – c
θj – c = 3.15°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
10 m
100 m
1
Pulse Width PW (s)
10 100
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (Diode)
10
Tc = 25°C
D=1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
1 shot pulse
0.01
100 μ
1m
θj – c(t) = γs (t) • θj – c
θj – c = 4.9°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
10 m
100 m
1
Pulse Width PW (s)
10 100
R07DS0162EJ0400 Rev.4.00
Apr 19, 2012
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