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부품번호 | 1SS196 기능 |
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기능 | Surface mount switching diode | ||
제조업체 | Galaxy Semi-Conductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
BL Galaxy Electrical
Production specification
Surface mount switching diode
FEATURES
z Low forward voltage
Pb
VF(3)=0.9V(typ).
z Fast switching.
Lead-free
z Fast reverse recovery time:trr=1.6ns(typ)
1SS196
APPLICATIONS
z High speed switching application.
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
1SS196
G3
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Limits
Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
DC Reverse Voltage
Forward Current(max)
Forward Output current
Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
VRM
VR
IFM
Io
Pd
Tj
TSTG
85
80
300
100
150
125
-55 to +125
V
V
mA
mA
mW
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
Symbol Min Typ MAX
V(BR)R
80 -
-
0.60
VF - 0.72
0.90 1.2
IR -
0.1
0.5
Cj - 0.90 3.0
trr - 1.6 4.0
UNIT Test Condition
V IR= 100μA
IF=1mA
V IF=10mA
IF=100mA
μA
VR=30V
VR=80V
pF VR=0V,f=1.0MHz
ns IF=IR=10mAIrr=0.1*IR
Document number: BL/SSSDC006
Rev.A
www.galaxycn.com
1
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS190 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS190 | Switching Diodes | LGE |
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