Datasheet.kr   

10F20HF3S 데이터시트 PDF




Thinki Semiconductor에서 제조한 전자 부품 10F20HF3S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 10F20HF3S 자료 제공

부품번호 10F20HF3S 기능
기능 10.0 Ampere Insulated Common Anode Super Fast Recovery Rectifiers
제조업체 Thinki Semiconductor
로고 Thinki Semiconductor 로고


10F20HF3S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

10F20HF3S 데이터시트, 핀배열, 회로
10F20HF3S thru 10F40HF3S
®
10F20HF3S thru 10F40HF3S
Pb Free Plating Product
Pb
10.0 Ampere Insulated Common Anode Super Fast Recovery Rectifiers
Features
¬ Fast switching for high efficiency
¬ Low forward voltage drop
¬ High current capability
¬ Low reverse leakage current
¬ High surge current capability
TO-220HF-3L
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
Unit : inch (mm)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
Mechanical Data
¬ Case:Fully plastic isolation TO-220HF-3L
¬ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
¬ Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208
¬ Polarity:As marked on diode body
¬ Mounting position: Any
¬ Weight: 2.0 gram approximately
.071(1.8)
.055(1.4)
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
Case
Case
Positive
Negative
Common Cathode Common Anode
Suffix "S"
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
SYMBOL 10F20HF3
10F20HF3S
VRRM
200
VRMS
140
10F30HF3 10F40HF3 UNIT
10F30HF3S 10F40HF3S
300 400 V
210 280 V
Maximum DC Blocking Voltage
VDC 200
300 400 V
Maximum Average Forward Rectified
Current TC=100oC
IF(AV)
10.0 A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
IFSM
100 A
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 5.0 A
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage
Temperature Range
VF
IR
Trr
CJ
R JC
TJ, TSTG
0.98
1.3
10.0
250
35
65
2.2
-55 to +150
1.3 V
uA
uA
nS
pF
oCW
oC
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
(3) Thermal Resistance junction to case.
Rev.05/2015
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 1/2
http://www.thinkisemi.com/





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ 10F20HF3S.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
10F20HF3

10.0 Ampere Insulated Common Anode Super Fast Recovery Rectifiers

Thinki Semiconductor
Thinki Semiconductor
10F20HF3

Fast Recover Diode

JILIN SINO
JILIN SINO

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵