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CS48N88 데이터시트 PDF




Thinki Semiconductor에서 제조한 전자 부품 CS48N88은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CS48N88 자료 제공

부품번호 CS48N88 기능
기능 N-Channel Trench Process Power MOSFET
제조업체 Thinki Semiconductor
로고 Thinki Semiconductor 로고


CS48N88 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS48N88 데이터시트, 핀배열, 회로
CS48N88
®
Pb Free Plating Product
CS48N88
Pb
70V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFET
General Description
The CS48N88 is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications. Rugged EAS
capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load
switching especially for E-Bike controller applications.
Features
VDS=70VID=92A@ VGS=10V
RDS(ON)<6.4mΩ @ VGS=10V
Special Designed for E-Bike Controller Application
Ultra Low On-Resistance
High UIS and UIS 100% Test
Application
48V E-Bike Controller Applications
Hard Switched and High Frequency Circuits
Uninterruptible Power Supply
CS48N88
(TO-220 HeatSink)
G DS
Schematic Diagram
VDS = 70V
ID = 92A
RDS(ON) = 5.3mΩ
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TA=25)
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage (VGS=0V
VGS Gate-Source Voltage (VDS=0V)
ID (DC)
ID (DC)
IDM (pluse)
Drain Current (DC) at Tc=25
Drain Current (DC) at Tc=100
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery Voltage
PD Maximum Power Dissipation(Tc=25)
Derating Factor
EAS Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
TJ,TSTG
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2.EAS condition:TJ=25,VDD=33V,VG=10V,ID=45A
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Value
70
±25
92
65
368
30
120
0.8
506
-55 To 175
Unit
V
V
A
A
A
V/ns
W
W/
mJ
Page 1/5
http://www.thinkisemi.com/




CS48N88 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS48N88
®
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)
Figure1. Safe Operating Area
Figure2. Source-Drain Diode Forward Voltage
10us
1ms
10ms
DC
Tc = 25
VDS (Volts)
Figure3. Output Characteristics
VSD (Volts)
Figure4. Transfer Characteristics
Figure5. Static Drain-Source On Resistance
10
9
8
7
6
5 VGS=10V
4
3
0 20 40 60 80 100
ID (A)
Figure6. RDS(ON) vs Junction Temperature
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 4/5
http://www.thinkisemi.com/

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