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CS64N90 데이터시트 PDF




Thinki Semiconductor에서 제조한 전자 부품 CS64N90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CS64N90 자료 제공

부품번호 CS64N90 기능
기능 N-Channel Trench Process Power MOSFET
제조업체 Thinki Semiconductor
로고 Thinki Semiconductor 로고


CS64N90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS64N90 데이터시트, 핀배열, 회로
CS64N90
®
Pb Free Plating Product
CS64N90
Pb
85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFET
General Description
CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications. Rugged
EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM,
load switching especially for E-Bike controller applications.
Features
VDS=85V; ID=92A@ VGS=10V;
RDS(ON)<7.45mΩ @ VGS=10V
Special Designed for E-Bike Controller Application
Ultra Low On-Resistance
High UIS and UIS 100% Test
Application
64V E-Bike Controller Applications
Hard Switched and High Frequency Circuits
Uninterruptible Power Supply
Inverter Application
Amplifier Application
CS64N90
(TO-220 HeatSink)
G DS
CS64N90F
(TO-220F FullPak)
Schematic Diagram
DS
G
VDS = 85 V
CS64N90B
(TO-263/D2PAK)
ID = 92A
D
S
G
RDS(ON) = 6.2 m
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TA=25)
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage (VGS=0V)
VGS Gate-Source Voltage (VDS=0V)
ID (DC)
ID (DC)
IDM (pluse)
Drain Current (DC) at Tc=25
Drain Current (DC) at Tc=100
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery Voltage
PD
EAS
TJ,TSTG
Maximum Power Dissipation(Tc=25)
Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2.EAS condition:TJ=25,VDD=40V,VBGB=10V,RG=25Ω
Value
85
±25
92
64.4
368
30
139
0.93
625
-55 To 175
Unit
V
V
A
A
A
V/ns
W
W/
mJ
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
Page 1/5
http://www.thinkisemi.com/




CS64N90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS64N90
®
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS (Curves)
Figure1. Output Characteristics
Figure2. Transfer Characteristics
VDS Drain-Source Voltage (V)
Figure3. Rdson Vs Drain Current
VGS Gate-Source Voltage (V)
Figure4. Rdson Vs Junction Temperature
3.0
ID- Drain Current (A)
Figure5. Gate Charge
TJ-Junction Temperature()
Figure6. Source- Drain Diode Forward
Qg Gate Charge (nC)
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
VSD Source-Drain Voltage (V)
Page 4/5
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