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AGN1440 데이터시트 PDF




ASB에서 제조한 전자 부품 AGN1440은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AGN1440 자료 제공

부품번호 AGN1440 기능
기능 Ku Band GaN Power Amplifier MMIC
제조업체 ASB
로고 ASB 로고


AGN1440 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AGN1440 데이터시트, 핀배열, 회로
AGN1440
AGN1440 Data Sheet
Ku Band GaN Power Amplifier MMIC
1. Product Overview
1.1 General Description
AGN1440 is a two-stage internally matched GaN MMIC Power Amplifier which operates between
13.75GHz and 14.50 GHz frequency range. This product is well suited for VSAT applications.
1.2 Features
Frequency Range: 13.75 - 14.50 GHz
Saturated Output Power: 41 dBm
Power Added Efficiency: 28 %
Small Signal Gain: 18.5 dB
Output Third Order Intercept Point: 43 dBm
Bias: VDD = +28 V, IDD = 350 mA, VGG = -2.8 V (Typical)
100% DC and RF tested
1.3 Applications
Ku Band VSAT
Point to Point Radio
1.4 Package Profile & RoHS Compliance
10-lead Flange Package
RoHS-compliant
1/11
ASB Inc. [email protected]
June 2015




AGN1440 pdf, 반도체, 판매, 대치품
3. Application: 13.75 ~ 14.50 GHz
3.1 Application Circuit
AGN1440
Note 1: The capacitors are recommended on the bias supply line, close to the package,
in order to prevent video oscillations which could damage the module.
3.2 Biasing Procedure
Make sure no RF power is applied to the device before continuing.
Pinch off device by setting VGG to -3.5 V.
Raise VDD to +28 V while monitoring drain current.
Raise VGG until drain current reaches 350 mA. VGG should be between -3.5 and -2.5 V.
Apply RF power.
To improve the thermal and RF performance, ASB recommends a heat sinker attached to the
bottom of the package with an Indium alloy preform.
4/11
ASB Inc. [email protected]
June 2015

4페이지










AGN1440 전자부품, 판매, 대치품
AGN1440
Output Power, Drain Current vs. Input Power by Temperature
VDD = +28 V, IDD = 350 mA @ 13.75 GHz
44 2200
40 2000
36 1800
32 1600
28 1400
24 1200
20 1000
16 800
12 600
8 400
4 200
00
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Input Power (dBm)
VDD = +28 V, IDD = 350 mA @ 14.00 GHz
44 2200
40 2000
36 1800
32 1600
28 1400
24 1200
20 1000
16 800
12 600
8 400
4 200
00
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Input Power (dBm)
VDD = +28 V, IDD = 350 mA @ 14.25 GHz
44 2200
40 2000
36 1800
32 1600
28 1400
24 1200
20 1000
16 800
12 600
8 400
4 200
00
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Input Power (dBm)
VDD = +28 V, IDD = 350 mA @ 14.50 GHz
44 2200
40 2000
36 1800
32 1600
28 1400
24 1200
20 1000
16 800
12 600
8 400
4 200
00
-10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35
Input Power (dBm)
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ASB Inc. [email protected]
June 2015

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