Datasheet.kr   

1SS417CT 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 1SS417CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1SS417CT 자료 제공

부품번호 1SS417CT 기능
기능 Silicon Epitaxial Planar Type Diode
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


1SS417CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

1SS417CT 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS417CT
1SS417CT
High Speed Switching Application
Unit: mm
Small package
Low forward voltage: VF (3) = 0.56 V (typ.)
Low reverse current: IR = 5 μA (max)
0.6±0.05
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Maximum (peak) reverse Voltage
Reverse voltage
Maximum (peak) forward current
Average forward current
Surge current (10ms)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Operating temperature range
VRM
VR
IFM
IO
IFSM
P*
Tj
Tstg
Topr
45
40
200
100
1
100
125
55 to 125
40 to 100
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm× 20 mm,
pad dimension of 4 mm× 4 mm.
0.38
+0.02
-0.03
0.5±0.03
0.05±0.03
CST2
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1P1A
Weight: 0.7 mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Forward voltage
Reverse current
Total capacitance
Symbol
VF (1)
VF (2)
VF (3)
IR
CT
Test
Circuit
Test Condition
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 100 mA
VR = 40 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
Min Typ. Max Unit
0.28
0.36
V
0.56 0.62
― ― 5 μA
15 pF
Marking
X
Equivalent Circuit (Top View)
1 2009-01-08





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ 1SS417CT.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
1SS417CT

Silicon Epitaxial Planar Type Diode

Toshiba
Toshiba

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵