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1SS424 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 1SS424은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1SS424 자료 제공

부품번호 1SS424 기능
기능 Silicon Epitaxial Planar Type Diode
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


1SS424 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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1SS424 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
1SS424
High-Speed Switching Applications
z Low forward voltage
: VF (3) = 0.50 V (typ.)
1SS424
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Maximum (peak) reverse voltage
VRM
30 V
Reverse voltage
VR 20 V
Maximum (peak) forward current IFM 300 mA
Average forward current
Surge current (10 ms)
Power dissipation
IO
IFSM
P*
200 mA
1A
150 mW
Junction temperature
Tj 125 °C
Storage temperature range
Tstg
55 to 125
°C
Operating temperature range
Topr 40 to 100 °C JEDEC
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
JEITA
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg (typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are
within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Mounted on a glass-epoxy circuit board of 20 × 20 mm,
pad dimensions of 4 × 4 mm.
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristic
Forward voltage
Reverse current
Total capacitance
Symbol
VF (1)
VF (2)
VF (3)
IR (1)
IR (2)
CT
Test
Circuit
Test Condition
IF = 1 mA
IF = 5 mA
IF = 200 mA
VR = 10 V
VR = 20 V
VR = 0, f = 1 MHz
Min Typ. Max Unit
0.18
0.23
0.42 0.5
V
― ― 30
μA
― ― 50
20 pF
Equivalent Circuit (Top View)
Marking
S8
Start of commercial production
2004-08
1 2014-03-01





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