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UGF18060 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 UGF18060
기능 Broadband RF Power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
제조업체 CREE
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UGF18060 데이터시트, 핀배열, 회로
UGF18060
60W, 1.8 GHz, 26V Broadband RF Power N-Channel
Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Designed for DCS base station applications in the frequency band 1.805 to 1.88 GHz. Rated with
a minimum output power of 60W. It is ideal for CDMA, TDMA, WCDMA, GSM, and Multi-Carrier
Power Amplifiers in Class AB operation.
ALL GOLD metal system for highest reliability
Industry standard package
Suggested alternative to the MRF18060
Internally matched for repeatable manufacturing
High gain, high efficiency and high linearity
Application Specific Performance, 1.88 GHz
GSM:
60 Watts
12.5 dB
EDGE:
25 Watts
12.5 dB
IS95 CDMA:
7.5 Watts 12.5 dB
CDMA2000:
TBD Watts 12.5 dB
Package Type 440171
PN: UGF18060F
Package Type 440172
PN: UGF18060P
Rev 2.
UGF18060




UGF18060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Product Dimensions
Package Number 440171
UGF18060
Package Number 440172
Rev 2.
UGF18060

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