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부품번호 | UGF18060 기능 |
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기능 | Broadband RF Power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | ||
제조업체 | CREE | ||
로고 | |||
UGF18060
60W, 1.8 GHz, 26V Broadband RF Power N-Channel
Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Designed for DCS base station applications in the frequency band 1.805 to 1.88 GHz. Rated with
a minimum output power of 60W. It is ideal for CDMA, TDMA, WCDMA, GSM, and Multi-Carrier
Power Amplifiers in Class AB operation.
• ALL GOLD metal system for highest reliability
• Industry standard package
• Suggested alternative to the MRF18060
• Internally matched for repeatable manufacturing
• High gain, high efficiency and high linearity
• Application Specific Performance, 1.88 GHz
GSM:
60 Watts
12.5 dB
EDGE:
25 Watts
12.5 dB
IS95 CDMA:
7.5 Watts 12.5 dB
CDMA2000:
TBD Watts 12.5 dB
Package Type 440171
PN: UGF18060F
Package Type 440172
PN: UGF18060P
Rev 2.
UGF18060
Product Dimensions
Package Number 440171
UGF18060
Package Number 440172
Rev 2.
UGF18060
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
UGF18060 | Broadband RF Power N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | CREE |
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