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2CL3512H 데이터시트 PDF




Tianjin zhonghuan semiconductor에서 제조한 전자 부품 2CL3512H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2CL3512H 자료 제공

부품번호 2CL3512H 기능
기능 High Voltage Diodes
제조업체 Tianjin zhonghuan semiconductor
로고 Tianjin zhonghuan semiconductor 로고


2CL3512H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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2CL3512H 데이터시트, 핀배열, 회로
2CL3509H2CL3512H
微波爐用高壓二極管 High Voltage Diodes for Micro-Wave Oven
特徵 Features
IFAV
VRRM
高可靠性
350mA
9kV ,12kV
High reliability
外形尺寸和印記 Outline Dimensions and Mark
單位 Unitmm
代號、批號 CodeLot No.
φ7.5±0.5
負極標誌 Cathode Mark
φ1.2±0.03
用途 Applications
微波爐及其他電子設備高壓電源整流用
Rectification for high voltage power supply
of magnetron in Micro wave oven and others
.
22min
22±0.5
22min
型號
Type
2CL3509H
代號
Code
T3509H
負極標誌
Cathode Mark
2CL3512H
T3512H
.極限值(絕對最大額定值)
Limiting ValuesAbsolute Maximum Rating
參數名稱
Item
符號 單位
Symbol Unit
2CL3509H
2CL3512H
反向重復峰值電壓
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
kV
9
12
正向平均電流
Average Forward Current
IF(AV)
mA 350
(正弦半波 50HZ,電阻負載,Ta60℃﹡)
(50HZHalf-sine wave, Resistance load, Ta60)
正向浪湧電流
Forward Surge Current
IFSM A 30
(正弦半波 50HZ,一個周期,Ta=25℃)
50HZ Half-sine wave,1cycle,Ta=25℃)
反向浪湧電流
Reverse Surge Current
IRSM mA 100
(方波、WP=1ms, 單脈衝,Ta=25)
(WP=1ms, Rectangular-wave, One-shot, Ta=25)
有效結溫
Virtual Junction Temperature
T(vj)
130
貯存溫度
Storage Temperature
Tstg
-40 ~ +130
散熱方式:將負極端子固定在厚度為 0.6mm,面積為50mm×50mm 以上的散熱片上,風冷條件:0.5m/s.
Cooling Requirement: Cathode terminal is fastened to radiating fin that size is more than 50mm×50mm×0.6mm Wind-cooled velocity is
more than 0.5m/s
電特性 Ta=25℃ 除非另有規定)
Electrical CharacteristicsTa=25Unless otherwise specified
參數名稱
符號 單位
測試條件
Item Symbol Unit Test Condition
正向峰值電壓
Peak Forward Voltage
VFM V
IFM=350mA
反向峰值電流
Peak Reverse Current
IRRM1
μA
VRM=VRRM
雪崩擊穿電壓
Avalanche Breakdown Voltage
VBR
kV
IR=100μA
2CL3509H
2CL3512H
10 12
5
9.5
12.5
天津中环半导体股份有限公司
TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR CO.,LTD.





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