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부품번호 | MS10N60 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Bruckewell | ||
로고 | |||
MS10N60
600V N-Channel MOSFET
General Description
The MS13N50 is a N-channel enhancement-mode
MOSFET, providing the designer with the best
combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220
package is universally preferred for all
commercial-industrial applications
Features
• Low On Resistance
• Simple Drive Requirement
• Low Gate Charge
• Fast Switching Characteristic
• RoHS compliant package
Packing Information
Shipping:50/Tube ; 1,000/Box
Graphic symbol
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
Drain Current -Continuous (TC=25°C)
ID
Drain Current -Continuous (TC=100°C)
IDM Drain Current –Pulsed
EAS Avalanche Energy
EAR Repetitive Avalanche Energy
dv/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
Power Dissipation (TC=25°C)
PD
Power Dissipation (TC=100°C)
TJ/TSTG
Operating Junction and Storage Temperature
Value
600
±30
9.5
5.7
38
700
15.6
4.5
50
0.38
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
Publication Order Number: [MS10N60]
© Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
MS10N60
600V N-Channel MOSFET
■Characteristics Curve
FIG.1-ON REGION CHARACTERISTICS
FIG.2-TRANSFER CHARACTERISTICS
FIG.3-ON RESISTANCE VARIATION VS DRAIN
CURRENT AND GATE VOLTAGE
FIG.4-BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION
WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
FIG.5-CAPACITANCE CHARACTERISTICS
Publication Order Number: [MS10N60]
FIG.6-GATE CHARGE CHARACTERISTICS
© Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
4페이지 MS10N60
600V N-Channel MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
Publication Order Number: [MS10N60]
© Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MS10N60 | N-Channel MOSFET | Bruckewell |
MS10N65 | N-Channel MOSFET | Bruckewell |
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