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MS12N60 데이터시트 PDF




Bruckewell에서 제조한 전자 부품 MS12N60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MS12N60 자료 제공

부품번호 MS12N60 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Bruckewell
로고 Bruckewell 로고


MS12N60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MS12N60 데이터시트, 핀배열, 회로
MS12N60
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The MS12N60 is a N-channel enhancement-mode
MOSFET, providing the designer with the best
combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220
package is universally preferred for all
commercial-industrial applications
Features
BVDSS=6600V typically @ Tj=150°C
Low On Resistance
Simple Drive Requirement
Low Gate Charge
Fast Switching Characteristic
RoHS compliant package
Application
Ballast
Inverter
Packing & Order Information
Graphic symbol
50/Tube ; 1,000/Box x
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
Drain Current -Continuous (TC=25°C)
ID
Drain Current -Continuous (TC=100°C)
IDM Pulsed Drain Current
EAS Single Pulsed Avalanche Energy
EAR Repetitive Avalanche Energy
IAR Avalanche Current
dV/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
• Drain current limited by maximum junction temperature
Value
600
±30
12
7.2
48
870
22.5
12.0
3.5
Unit
V
V
A
A
A
mJ
mJ
A
V/ns
Publication Order Number: [MS12N60]
© Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014




MS12N60 pdf, 반도체, 판매, 대치품
MS12N60
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Characteristics Curve
FIG.1-ON REGION CHARACTERISTICS
FIG.2-TRANSFER CHARACTERISTICS
FIG.3-ON RESISTANCE VARIATION VS DRAIN
CURRENT AND GATE VOLTAGE
FIG.4-BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION
WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
FIG.5-CAPACITANCE CHARACTERISTICS
Publication Order Number: [MS12N60]
FIG.6-GATE CHARGE CHARACTERISTICS
© Bruckewell Technology Corporation Rev. A -2014

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