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부품번호 | MS1337 기능 |
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기능 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS | ||
제조업체 | Advanced Power Technology | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
VHF MOBILE APPLICATIONS
Features
• 175 MHz
• 12.5 VOLTS
• POUT = 30W MINIMUM
• GP = 10 dB GAIN
• COMMON EMITTER CONFIGURATION
DESCRIPTION:
The MS1337 is a 12.5 volt epitaxial silicon NPN planar transistor
designed primarily for Class C, VHF communication applications.
The MS1337 utilizes an emitter ballasted die geometry to
withstand severe load mismatch conditions.
MS1337
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)
Symbol
Parameter
VCBO
VCEO
VCES
VEBO
IC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
PDISS
TJ
Power Dissipation
Junction Temperature
TSTG
Storage Temperature
Thermal Data
RTH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
053-7069 Rev - 10-2002
Value
36
18
36
4.0
8.0
70
+200
-65 to +150
1.2
Unit
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C/W
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ MS1337.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MS1336 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS | Advanced Power Technology |
MS1337 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS | Advanced Power Technology |
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