Datasheet.kr   

ES1DF 데이터시트 PDF




MDD에서 제조한 전자 부품 ES1DF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ES1DF 자료 제공

부품번호 ES1DF 기능
기능 SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
제조업체 MDD
로고 MDD 로고


ES1DF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

ES1DF 데이터시트, 핀배열, 회로
ES1AF THRU ES1JF
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 1.0 Ampere
0.106(2.70)
0.094(2.40)
0.051(1.30)
0.043(1.10)
SMAF
Cathode Band
Top View
0.063(1.60)
0.051(1.30)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.0091(0.23)
0.0071(0.18)
FEATURES
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Super fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
Built-in strain relief,ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
260 C/10 seconds at terminals
Glass passivated chip junction
0.051(1.30)
0.039(1.0)
MECHANICAL DATA
0.193(4.90)
0.173(4.40)
Dimensions in inches and (millimeters)
Case: JEDEC SMAF molded plastic body over passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight:0.0018 ounce, 0.064 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
MDD Catalog Number
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at TL=55 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current TA=25 C
at rated DC blocking voltage TA=100 C
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOLS ES1AF ES1BF ES1CF ES1DF ES1EF ES1GF ES1JF
VRRM 50 100 150 200 300 400 600
VRMS
35
70 105 140 210 280 420
VDC 50 100 150 200 300 400 600
I(AV) 1.0
IFSM
VF
IR
trr
CJ
RθJA
TJ,TSTG
30.0
0.95
5.0
50.0
35
15.0
60.0
-50 to +150
1.25
1.7
Note:1.Reverse recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2(5.0x5.0mm) copper pad areas
UNITS
VOLTS
VOLTS
VOLTS
Amp
Amps
Volts
µA
ns
pF
C/W
C





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ ES1DF.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
ES1D

SMA ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
ES1D

1.0 Ampere Superfast Rectifiers

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵