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GB20B60PD1 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 GB20B60PD1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GB20B60PD1 자료 제공

부품번호 GB20B60PD1 기능
기능 IRGB20B60PD1
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


GB20B60PD1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GB20B60PD1 데이터시트, 핀배열, 회로
PD - 94613A
SMPS IGBT IRGB20B60PD1
WARP2 SERIES IGBT WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Applications
Telecom and Server SMPS
PFC and ZVS SMPS Circuits
Uninterruptable Power Supplies
Consumer Electronics Power Supplies
Features
NPT Technology, Positive Temperature Coefficient
Lower VCE(SAT)
Lower Parasitic Capacitances
Minimal Tail Current
HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode
Tighter Distribution of Parameters
Higher Reliability
C
G
E
n-channel
VCES = 600V
VCE(on) typ. = 2.05V
@ VGE = 15V IC = 13.0A
Equivalent MOSFET
Parameters 
RCE(on) typ. = 158m
ID (FET equivalent) = 20A
Benefits
Parallel Operation for Higher Current Applications
Lower Conduction Losses and Switching Losses
Higher Switching Frequency up to 150kHz
GCE
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VCES
IC @ TC = 25°C
IC @ TC = 100°C
ICM
ILM
IF @ TC = 25°C
IF @ TC = 100°C
IFRM
VGE
PD @ TC = 25°C
PD @ TC = 100°C
TJ
TSTG
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)
dClamped Inductive Load Current
Diode Continous Forward Current
Diode Continous Forward Current
eMaximum Repetitive Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw
Thermal Resistance
Parameter
RθJC (IGBT)
RθJC (Diode)
RθCS
RθJA
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)
Weight
Max.
600
40
22
80
80
10
4
16
±20
215
86
-55 to +150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbf·in (1.1 N·m)
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
–––
0.50
–––
2 (0.07)
Max.
0.58
5.0
–––
80
–––
Units
V
A
V
W
°C
Units
°C/W
g (oz)
1 www.irf.com
12/10/03




GB20B60PD1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRGB20B60PD1
450
400
350
300
TJ = 25°C
TJ = 125°C
250
200
150
100
50
0
0 5 10 15 20
VGE (V)
Fig. 7 - Typ. Transfer Characteristics
VCE = 50V; tp = 10µs
10
9
8 ICE = 20A
7 ICE = 13A
6 ICE = 8.0A
5
4
3
2
1
0
0
350
5 10 15
VGE (V)
Fig. 9 - Typical VCE vs. VGE
TJ = 125°C
20
300
EON
250
200
150 EOFF
100
50
0
0 5 10 15 20 25
IC (A)
Fig. 11 - Typ. Energy Loss vs. IC
TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, RG = 10; VGE = 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
4
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
5 10 15
VGE (V)
Fig. 8 - Typical VCE vs. VGE
TJ = 25°C
20
10 TJ = 150°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
0.1
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
Forward Voltage Drop - V
5.0
FM(V)
6.0
Fig. 10 - Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80µs
1000
tdOFF
100
tdON
10 tF
tR
1
0 5 10 15 20 25
IC (A)
Fig. 12 - Typ. Switching Time vs. IC
TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, RG = 10; VGE = 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
www.irf.com

4페이지










GB20B60PD1 전자부품, 판매, 대치품
IRGB20B60PD1
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01 0.01
τJ τJ
τ1 τ1
R1R1
R2R2
τ2 τ2
R3R3
τ3 τ3
R4R4
τ4 τ4
Ri (°C/W)
τCτ
0.0076
0.2696
0.1568
τi (sec)
0.000001
0.000270
0.001386
CiC= iτi/Ri/iRi
0.1462 0.015586
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 23. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1
10
D = 0.50
1 0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01 ( THERMAL RESPONSE )
τJ τJ
τ1 τ1
R1R1
CiC= iτi/Ri/iRi
R2R2
τ2 τ2
τCτ
Ri (°C/W) τi (sec)
1.779 0.000226
3.223 0.001883
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
Fig. 24. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
www.irf.com
7

7페이지


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