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부품번호 | YG971S8R 기능 |
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기능 | Low-Loss Fast Recovery Diode | ||
제조업체 | Fuji Electric | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
YG971S8R
Low-Loss Fast Recovery Diode
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
Maximum Rating and Characteristics
Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise specified.)
Item
Symbols
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
Isolating voltage
Viso
Average forward current
IFAV
Non-repetitive forward surge current
Operating junction temperature
Storage temperature
IFSM
Tj
Tstg
Conditions
-
Terminals-to-case, AC.1min
50Hz Square wave duty =1/2
Tc = 93˚C
Sine wave, 10ms 1shot
-
-
Ratings
800
1500
5
60
150
-40 to +150
Units
V
V
A
A
˚C
˚C
Electrical characteristics
Item
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Thermal resistance
(at Ta=25˚C unless otherwise specified.)
Symbols
Conditions
VF IF =5 A
IR VR =VRRM
trr IF =0.1A, IR =0.2A, Irec =0.05A
Rth(j-c) Junction to case
Maximum
2.2
10
50
4.5
Units
V
µA
µS
˚C/W
Mechanical characteristics
Item
Mounting torque
Approximate mass
Conditions
Recommended torque
-
Maximum
0.3 to 0.5
1.7
Units
N•m
g
1
YG971S8R
Surge Capability(max.)
1000
FUJI Diode
http://www.fujisemi.com
Surge Current Ratings (max.)
1000
100
100
10
1 10
1 10 100 1 10 100 1000
Number of Cycles at 50Hz
t Time (msec) Sine wave
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
0
Current Derating (IF(AV)-Tc)(max.)
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
123456
IF(AV) Average Forward Current (A)
7
Junction Capacitance Characteristic (typ.)
1000
100
10
1
1 10 100 1000
VR Reverse Voltage (V)
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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YG971S8R | Low-Loss Fast Recovery Diode | Fuji Electric |
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