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DHG20I1200PA 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 DHG20I1200PA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DHG20I1200PA 자료 제공

부품번호 DHG20I1200PA 기능
기능 High Performance Fast Recovery Diode
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


DHG20I1200PA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DHG20I1200PA 데이터시트, 핀배열, 회로
DHG 20 I 1200 PA
preliminary
Sonic Fast Recovery Diode
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
Single Diode
VRRM =
IFAV =
t rr =
1200 V
20 A
200 ns
Part number
DHG 20 I 1200 PA
31
Backside: cathode
Features / Advantages:
Planar passivated chips
Very low leakage current
Very short recovery time
Improved thermal behaviour
Very low Irm-values
Very soft recovery behaviour
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Applications:
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
Package:
Housing: TO-220
rIndustry standard outline
rEpoxy meets UL 94V-0
rRoHS compliant
Ratings
Symbol
VRRM
IR
VF
IFAV
VF0
rF
R thJC
T VJ
Ptot
I FSM
I RM
t rr
Definition
Conditions
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
average forward current
VR = 1200 V
VR = 1200 V
IF = 20 A
IF = 40 A
IF = 20 A
IF = 40 A
rectangular
d = 0.5
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
thermal resistance junction to case
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
max. reverse recovery current
reverse recovery time
t = 10 ms (50 Hz), sine
IF = 20 A; VR = 600 V
-diF/dt = 400 A/µs
CJ junction capacitance
VR = 600 V; f = 1 MHz
TVJ = 25 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
TC = 95°C
TVJ = 150 °C
TC = 25°C
TVJ = 45°C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25°C
min. typ. max.
1200
30
0.4
2.24
2.90
2.25
3.17
20
1.25
45
0.90
-55 150
140
150
15
20
200
350
8
Unit
V
µA
mA
V
V
V
V
A
V
m
K/W
°C
W
A
A
A
ns
ns
pF
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110616a




DHG20I1200PA pdf, 반도체, 판매, 대치품
40
30
IF
20
[A]
10
TVJ = 125°C
TVJ = 25°C
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VF [V]
Fig. 1 Typ. Forward current versus VF
3.0
35
30
25
IRM 20
TVJ = 125°C
VR = 600 V
40 A
20 A
10 A
[A] 15
10
5
0
200 300 400 500 600 700
diF /dt [A/µs]
Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt
1.4
TVJ = 125°C
1.2 VR = 600 V
1.0
Erec
0.8
[mJ]
0.6
0.4
40 A
20 A
10 A
0.2
200 300 400 500 600 700
diF /dt [A/µs]
Fig. 5 Typ. recovery energy Erec versus di/dt
5
4
Qrr
3
[µC]
2
DHG 20 I 1200 PA
preliminary
TVJ = 125°C
VR = 600 V
40 A
20 A
10 A
1
200 300 400 500 600 700
diF /dt [A/µs]
Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt
700
600 TVJ = 125°C
VR = 600 V
500
trr 400
[ns] 300
200
40 A
20 A
10 A
100
0
200 300 400 500 600
diF /dt [A/µs]
Fig. 4 Typ. recovery time trr versus di/dt
700
1
ZthJC
[K/W]
0.1
0.001
0.01
Ri ti
1 0.231 0.0005
2 0.212 0.004
3 0.19 0.02
4 0.267 0.15
0.1 1 10
tp [s]
Fig. 6 Typ. transient thermal impedance
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Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
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