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DPH30IS600HI 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 DPH30IS600HI은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DPH30IS600HI 자료 제공

부품번호 DPH30IS600HI 기능
기능 High Performance Fast Recovery Diode
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


DPH30IS600HI 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DPH30IS600HI 데이터시트, 핀배열, 회로
DPH 30 IS 600 HI
HiPerDynFRED²
High Performance Dynamic Fast Recovery Diode
Extreme Low Loss and Soft Recovery
Single Diode
Part number
1
DPH 30 IS 600 HI
3
VRRM =
IFAV =
t rr =
600 V
30 A
35 ns
Features / Advantages:
Planar passivated chips
Very low leakage current
Very short recovery time
Improved thermal behaviour
Very low Irm-values
Very soft recovery behaviour
Avalanche voltage rated for reliable operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Applications:
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
Backside: isolated
Package:
Housing: ISOPLUS247
rIndustry standard outline
rDCB isolated backside
rIsolation Voltage 3000 V
rEpoxy meets UL 94V-0
rRoHS compliant
Symbol
VRRM
IR
VF
IFAV
VF0
rF
R thJC
T VJ
Ptot
I FSM
I RM
t rr
Definition
Conditions
max. repetitive reverse voltage
reverse current
forward voltage
average forward current
VR = 600 V
VR = 600 V
IF = 30 A
IF = 60 A
IF = 30 A
IF = 60 A
rectangular
d = 0.5
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
thermal resistance junction to case
virtual junction temperature
total power dissipation
max. forward surge current
max. reverse recovery current
reverse recovery time
t = 10 ms (50 Hz), sine
IF = 30 A; VR = 400 V
-diF/dt = 200 A/µs
CJ junction capacitance
VR = 400 V; f = 1 MHz
TVJ = 25 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 150 °C
TVJ = 25°C
TVJ = 150°C
TC = 140°C
TVJ = 175 °C
TC = 25°C
TVJ = 45°C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25 °C
TVJ = 125 °C
TVJ = 25 °C
Ratings
min. typ. max.
600
1
0.2
2.48
3.02
1.89
2.45
30
1.10
12.6
0.55
-55 175
285
450
3
8
35
65
30
Unit
V
µA
mA
V
V
V
V
A
V
m
K/W
°C
W
A
A
A
ns
ns
pF
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2010 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20100126a




DPH30IS600HI pdf, 반도체, 판매, 대치품
DPH 30 IS 600 HI
80 0.8
20
70
60
50
IF
40
[A]
30
TVJ = 150°C
0.6
Qrr 0.4
[µC]
IF = 60 A
30 A
15 A
20
25°C
10
0.0 0.8 1.6 2.4 3.2 4.0
VF [V]
Fig. 1 Forward current IF versus
forward voltage VF
0.2
TVJ = 125°C
VR = 400 V
0.0
0
200 400 600
-diF /dt [A/µs]
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge
Qrr versus -diF /dt
1.6 100
1.4
TVJ = 125°C
VR = 400 V
1.2 80
16
12
IRM
[A] 8
IF = 60 A
30 A
15 A
4
TVJ = 125°C
VR = 400 V
0
0 200 400 600
-diF /dt [A/µs]
Fig. 3 Typ. reverse recovery current
IRM versus -diF /dt
1000
800
TVJ = 125°C
tfr VR = 400 V
IF = 30 A
14
VFR
12
1.0
Kf 0.8
0.6 IRM
0.4
0.2 Qrr
trr 60
[ns]
IF = 60 A
40
30 A
15 A
600
tfr
[ns]
400
200
10
VFR
8
[V]
6
0.0
0
40 80 120 160
TVJ [°C]
Fig. 4 Dynamic parameters
Qrr, IRM versus TVJ
20
0 200 400 600
-diF /dt [A/µs]
Fig. 5 Typ. reverse recovery time
trr versus -diF /dt
25
20
15
Erec
[µJ]
10
TVJ = 125°C
VR = 400 V
I = 15 A
F
30 A
60 A
0.6
0.5
0.4
ZthJC
0.3
[K/W]
0.2
04
0 200 400 600
-diF /dt [A/µs]
Fig. 6 Typ. forward recovery voltage VFR
& forward recovery time tfr vs. diF /dt
5 0.1
0
0 200 400 600
-diF /dt [A/µs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec versus -diF /dt
0.0
1
10 100 1000
t [ms]
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
10000
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Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
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