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G40H603 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 G40H603은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 G40H603 자료 제공

부품번호 G40H603 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


G40H603 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 14 페이지수

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G40H603 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
IGW40N60H3
600VIGBT
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
DataSheet
IndustrialPowerControl




G40H603 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGW40N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
Maximumratings
Parameter
Collector-emittervoltage,Tvj25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
Turn off safe operating area
VCE600V,Tvj175°C,tp=1µs
Gate-emitter voltage
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC400V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: 1.0s
Tvj=150°C
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
Soldering temperature,
wave soldering 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
Symbol
VCE
IC
ICpuls
-
VGE
tSC
Ptot
Tvj
Tstg
M
Value
600
80.0
40.0
160.0
160.0
±20
5
306.0
153.0
-40...+175
-55...+150
260
0.6
Unit
V
A
A
A
V
µs
W
°C
°C
°C
Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.49 K/W
40 K/W
ElectricalCharacteristic,atTvj=25°C,unlessotherwisespecified
Parameter
Symbol Conditions
StaticCharacteristic
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES
Collector-emitter saturation voltage VCEsat
Gate-emitter threshold voltage
VGE(th)
Zero gate voltage collector current ICES
Gate-emitter leakage current
Transconductance
IGES
gfs
VGE=0V,IC=2.00mA
VGE=15.0V,IC=40.0A
Tvj=25°C
Tvj=150°C
Tvj=175°C
IC=0.58mA,VCE=VGE
VCE=600V,VGE=0V
Tvj=25°C
Tvj=175°C
VCE=0V,VGE=20V
VCE=20V,IC=40.0A
min.
Value
typ.
max. Unit
600 -
-V
-
-
1.95 2.40
2.30 -
V
- 2.50 -
4.1 5.1 5.7 V
- - 40.0 µA
- - 3000.0
- - 100 nA
- 24.0 - S
4 Rev.2.3,2014-03-12

4페이지










G40H603 전자부품, 판매, 대치품
IGW40N60H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
160 120
140 VGE=21V
19V
120 17V
15V
100
13V
80 11V
9V
60 7V
5V
40
20
VGE=21V
100
19V
17V
80 15V
13V
60 11V
9V
7V
40
5V
20
0
012345
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 5. Typicaloutputcharacteristic
(Tj=25°C)
0
012345
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 6. Typicaloutputcharacteristic
(Tj=175°C)
140
Tj=25°C
Tj=175°C
120
100
80
60
40
20
4.0
IC=20A
IC=40A
IC=80A
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
0
5 6 7 8 9 10 11
VGE,GATE-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 7. Typicaltransfercharacteristic
(VCE=20V)
1.0
12 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj,JUNCTIONTEMPERATURE[°C]
Figure 8. Typicalcollector-emittersaturationvoltageas
afunctionofjunctiontemperature
(VGE=15V)
7 Rev.2.3,2014-03-12

7페이지


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