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TMP13N50 데이터시트 PDF




TRinno에서 제조한 전자 부품 TMP13N50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TMP13N50 자료 제공

부품번호 TMP13N50 기능
기능 N-channel MOSFET
제조업체 TRinno
로고 TRinno 로고


TMP13N50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TMP13N50 데이터시트, 핀배열, 회로
Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
Halogen free package
JEDEC Qualification
TMP13N50/TMPF13N50
TMP13N50G/TMPF13N50G
VDSS = 550 V @Tjmax
ID = 13A
RDS(on) = 0.48 W(max) @ VGS= 10 V
D
G
S
Device
TMP13N50 / TMPF13N50
TMP13N50G / TMPF13N50G
Package
TO-220 / TO-220F
TO-220 / TO-220F
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25
TC = 100
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Repetitive Avalanche Current (Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Power Dissipation
TC = 25
Derate above 25
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Limited only by maximum junction temperature
Marking
TMP13N50 / TMPF13N50
TMP13N50G / TMPF13N50G
Remark
RoHS
Halogen Free
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
dv/dt
TJ, TSTG
TL
TMP13N50(G) TMPF13N50(G)
500
±30
13 13*
8.2 8.2*
52 52*
563
13
18.3
183 52
1.46 0.41
4.5
-55~150
300
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
W/
V/ns
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RqJC
RqJA
TMP13N50(G)
0.63
62.5
May 2010 : Rev1
www.trinnotech.com
TMPF13N50(G)
2.4
62.5
Unit
/W
/W
1/5




TMP13N50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TMP13N50/TMPF13N50
TMP13N50G/TMPF13N50G
1.20
1.15
1.10
V =0V
GS
I = 250 μ A
D
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-80
-40
0 40 80
Junction Temperature,T [oC]
J
120
160
3.0
V = 10 V
GS
I = 6.5 A
2.5 D
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-80
-40 0
40 80 120
Junction Temperature, T [oC]
J
160
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
25
50 75 100 125
Case Temperature, T []
C
150
102
101
100
10-1
T = 25 oC
C
T = 150 oC
J
Single Pulse
10-2
100
TMP13N50(G)
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10 us
101 102
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
103
102
101
100
10-1
T = 25 oC
C
T = 150 oC
J
Single Pulse
TMPF13N50(G)
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10-2
100
101 102
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
103
May 2010 : Rev1
www.trinnotech.com
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