|
|
|
부품번호 | 1SS106 기능 |
|
|
기능 | Silicon Schottky Barrier Diode | ||
제조업체 | Renesas | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
1SS106
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector,
High Speed Switching
REJ03G0125-0200Z
(Previous: ADE-208-153A)
Rev.2.00
Oct.23.2003
Features
• Detection efficiency is very good.
• Small temperature coefficient.
• High reliability with glass seal..
Ordering Information
Type No.
1SS106
Cathode
White
2nd band
White
Mark
H
Package Code
DO-35
Pin Arrangement
12
2nd band
Cathode band
1. Cathode
2. Anode
Rev.2.00, Oct.23.2003, page 1 of 4
1SS106
Package Dimensions
26.0 Min 4.2 Max
26.0 Min
As of January, 2003
Unit: mm
Package Code
JEDEC
JEITA
Mass (reference value)
DO-35
Conforms
Conforms
0.13 g
Rev.2.00, Oct.23.2003, page 4 of 4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ 1SS106.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS104 | SILICON PLANAR TYPE DIODE | Toshiba Semiconductor |
1SS106 | Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector/ High Speed Switching | Hitachi Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |