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부품번호 | TMP18N20ZG 기능 |
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기능 | N-channel MOSFET | ||
제조업체 | TRinno | ||
로고 | |||
Features
Low gate charge
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS compliant
Halogen free package
JEDEC Qualification
TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G)
BVDSS
200V
N-channel MOSFET
ID RDS(on)MAX
18A <0.17W
Device
TMP18N20Z / TMPF18N20Z
TMP18N20ZG / TMPF18N20ZG
Package
TO-220 / TO-220F
TO-220 / TO-220F
Marking
TMP18N20Z / TMPF18N20Z
TMP18N20ZG / TMPF18N20ZG
Remark
RoHS
Halogen Free
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
TC = 25 ℃
TC = 100 ℃
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Repetitive Avalanche Current (Note 1)
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)
Power Dissipation
TC = 25 ℃
Derate above 25 ℃
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
* Limited only by maximum junction temperature
Symbol
VDSS
VGS
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
dv/dt
TJ, TSTG
TL
TMP18N20Z(G) TMPF18N20Z(G)
200
±30
18 18 *
9 9*
72 72 *
380
18
9.4
94 30.4
0.75 0.24
4.5
-55~150
300
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
W/℃
V/ns
℃
℃
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RqJC
RqJA
TMP18N20Z(G)
1.33
62.5
May 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
TMPF18N20Z(G)
4.1
62.5
Unit
℃/W
℃/W
1/7
TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G)
1.20
1.15
1.10
V =0V
GS
I = 250 μA
D
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-80
-40
0 40 80
Junction Temperature,T [oC]
J
120
3.0
V = 10 V
GS
I =9A
2.5 D
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
160 -80
-40 0 40 80 120
Junction Temperature, T [oC]
J
160
20 1.5
15
1.0
10
0.5
5
V =V
DS GS
I = 250 A
D
0 0.0
25 50 75 100 125 150 -80 -40 0 40 80 120 160
Case Temperature, T [℃]
C
Junction Temperature, T [oC]
J
TMP18N20Z(G)
TMPF18N20Z(G)
Operation in This Area
is Limited by R
102
DS(on)
10 us
100 us
Operation in This Area
is Limited by R
102
DS(on)
10 us
100 us
1 ms 1 ms
101
10 ms
101
10 ms
100 ms
100 ms
DC
DC
100 100
10-1
10-2
100
T = 25 oC
C
T = 150 oC
J
Single Pulse
101 102
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
May 2012 : Rev0
T = 25 oC
C
10-1
T = 150 oC
J
Single Pulse
10-2
100
www.trinnotech.com
101 102
Drain-Source Voltage, V [V]
DS
4/7
4페이지 TMP18N20Z(G)/TMPF18N20Z(G)
TO-220F-3L MECHANICAL DATA
SYMBOL
A
b
C
D
E
e
H1
J1
L
φQ
b1
L1
Q1
F
INCHES
MIN MAX
0.178 0.194
0.028 0.036
0.018 0.024
0.617 0.633
0.392 0.408
0.100 TYP.
0.256 0.272
0.101 0.117
0.503 0.519
0.117 0.133
0.045 0.055
0.114 0.130
0.122 0.138
0.092 0.108
MILLIMETERS
MIN MAX
4.53 4.93
0.71 0.91
0.45
0.60
15.67 16.07
9.96
10.36
2.54TYP.
6.50
6.90
2.56
2.96
12.78 13.18
2.98
3.38
1.15
1.39
2.9 3.3
3.10 3.50
2.34
2.74
NOTES
May 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
7/7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TMP18N20Z | N-channel MOSFET | TRinno |
TMP18N20ZG | N-channel MOSFET | TRinno |
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