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TGPF30N40P 데이터시트 PDF




TRinno에서 제조한 전자 부품 TGPF30N40P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TGPF30N40P 자료 제공

부품번호 TGPF30N40P 기능
기능 Field Stop Trench IGBT
제조업체 TRinno
로고 TRinno 로고


TGPF30N40P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TGPF30N40P 데이터시트, 핀배열, 회로
TGPF30N40P
Features:
400V Trench Technology
High Speed Switching
Low Conduction Loss
Positive Temperature Coefficient
Easy parallel Operation
RoHS compliant
JEDEC Qualification
Applications :
Plasma Display Panel, Soft switching application,
C
GCE
Ordering Part Number
TGPF30N40P
TGPF30N40P-R
TGPF30N40P-L
Package
TO-220F
TO-220F(R-Forming)
TO-220F(L-Forming)
Packaging type
Tube
Tube
Tube
Marking
TGPF30N40P
TGPF30N40P
TGPF30N40P
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Continuous Current
Pulsed Collector Current (Note 1)
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
TC = 25
TC = 100
TC = 25
TC = 100
Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
Symbol
VCES
VGES
Ic
ICM
PD
TJ
TSTG
TL
Value
400
±30
60
30
300
20.8
8.3
-55 ~ 150
-55 ~ 150
300
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max junction temperature, PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1%.
Remark
RoHS
RoHS
RoHS
Unit
V
V
A
A
A
W
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Case
Maximum Thermal resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
August. 2012 : Rev0
www.trinnotech.com
Value
6.0
62.5
Unit
/W
/W
1/6




TGPF30N40P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Fig. 7 Turn on time vs. gate resistance
1000
T
r
100
10 T
d(on)
1
0 20
Common Emitter
V = 150V, V = 15V, I = 30A
cc GE C
T 25oC
C
T 125oC
C
40 60
Gate Resistance, R [Ω]
G
80
100
Fig. 9 Turn on time vs. Case temperature
T
r
100
10
T
d(on)
Common Emitter
V = 150V, V = 15V,
cc GE
R = 5Ω, I = 30A
GC
1
40 60 80 100
Case Temperature, T [oC]
C
120
TGPF30N40P
Fig. 8 Turn on time vs. collector current
1000
T
r
100
T
d(on)
10
Common Emitter
V = 150V, V = 15V, R = 5Ω
cc GE G
T 25oC
C
T 125oC
C
1
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Collector Current, I [A]
C
Fig. 10 Turn off time vs. gate resistance
1000
T
d(off)
100
10
0
T
f
Common Emitter
V = 150V, V = 15V, I = 30A
cc GE C
T 25oC
C
T 125oC
C
20 40 60 80
Gate Resistance, R [Ω]
G
100
Fig. 11 Turn off time vs. collector current
1000
100
T
f
T
d(off)
Fig. 12 Turn off time vs. Case temperature
T
f
100
10
Common Emitter
V = 150V, V = 15V, R = 5Ω
cc GE G
T 25oC
C
T 125oC
C
1
10 20 30 40 50 60 70
Collector Current, I [A]
C
August. 2012 : Rev0
T
d(off)
10
Common Emitter
Vcc= 150V, VGE = 15V,
RG = 5Ω, IC = 30A
80 90
40 60 80 100
Case Temperature, T [oC]
C
www.trinnotech.com
120
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