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A06N03N PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 A06N03N
기능 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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A06N03N 데이터시트, 핀배열, 회로
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
25V 
D
RDSON (MAX.) 
6mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMA06N03AN
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
80 
50 
170 
53 
140 
40 
69 
27 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
1.8 
°C / W 
75 
2013/8/21 
p.1 




A06N03N pdf, 반도체, 판매, 대치품
  EMA06N03AN
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
OnRegion Characteristic
  100
10V 7V 5V
4.5V
  80
 
  60
  40
 
20
 
On‐ Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG  S = 4.5V
1.5
1.0
5V
5.5V
6V
7V
10V
 0
0.5
0 0.5
1 1.5
2 2.5
3
0 20 40 60 80 100
  VD  S ,DrainSource Voltage( V )
I D  ,Drain Current( A ) 
 
  1.8 On‐ Resistance Variation with Temperature 
  I D  = 30A
VG  S = 10V
1.6
 
  1.4
  1.2
  1.0
0.025
OnResistance Variation with GateSource Voltage
ID   = 15A
0.020
0.015
0.010
TA   = 125° C
  0.8
0.005
TA   = 25° C
 
  0.6
50
25
0 25 50 75 100 125 150
T j ,Junction Tem p erature(°C )
0
2
468
VG S  ,GateSourceVoltage( V )
10
 
 
TRANSFER CHARACTERISTICS
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE
CURRENT AND TEMPERATURE
  100
60
V D S = 10V
T A  = ‐55 ° C
VG S  = 0V
 
80
25 ° C
10
TA  = 125°C
125 ° C
 
1
  60
 
40
 
25°C
0.1
55°C
0.01
  20
0.001
 
0 0.0001
012
3 45
0 0.2
0.4 0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
  V G S ,GATE TO SOURCE VOLTAGE
VS D  ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
 
 
 
2013/8/21 
p.4 

4페이지













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