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부품번호 | A06N03N 기능 |
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기능 | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
25V
D
RDSON (MAX.)
6mΩ
ID 80A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMA06N03AN
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
±20
80
50
170
53
140
40
69
27
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
1.8
°C / W
75
2013/8/21
p.1
EMA06N03AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
On‐Region Characteristic
100
10V 7V 5V
4.5V
80
60
40
20
On‐ Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG S = 4.5V
1.5
1.0
5V
5.5V
6V
7V
10V
0
0.5
0 0.5
1 1.5
2 2.5
3
0 20 40 60 80 100
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
I D ,Drain Current( A )
1.8 On‐ Resistance Variation with Temperature
I D = 30A
VG S = 10V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.025
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
ID = 15A
0.020
0.015
0.010
TA = 125° C
0.8
0.005
TA = 25° C
0.6
‐50
‐25
0 25 50 75 100 125 150
T j ,Junction Tem p erature(°C )
0
2
468
VG S ,Gate‐SourceVoltage( V )
10
TRANSFER CHARACTERISTICS
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE
CURRENT AND TEMPERATURE
100
60
V D S = 10V
T A = ‐55 ° C
VG S = 0V
80
25 ° C
10
TA = 125°C
125 ° C
1
60
40
25°C
0.1
‐55°C
0.01
20
0.001
0 0.0001
012
3 45
0 0.2
0.4 0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
V G S ,GATE TO SOURCE VOLTAGE
VS D ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
2013/8/21
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
A06N03N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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