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7MBP150TEA060 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBP150TEA060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 7MBP150TEA060 자료 제공

부품번호 7MBP150TEA060 기능
기능 Econo IPM series
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBP150TEA060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7MBP150TEA060 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBP150TEA060
Econo IPM series
600V / 150A 7 in one-package
Features
· Temperature protection provided by directly detecting the junction
temperature of the IGBTs
· Low power loss and soft switching
· High performance and high reliability IGBT with overheating protection
· Higher reliability because of a big decrease in number of parts in
built-in control circuit
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings(at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Bus voltage
DC
Surge
Short operating
Collector-Emitter voltage *1
Collector current
DC
1ms
Duty=68.2% *2
Collector power dissipation One transistor *3
Collector current
DC
1ms
Forward current diode
Collector power dissipation One transistor *3
Supply voltage of Pre-Driver *4
Input signal voltage *5
Input signal current
Alarm signal voltage *6
Alarm signal current *7
Junction temperature
Operating case temperature
Storage temperature
Solder temperature *8
Isolating voltage (Terminal to base, 50/60Hz sine wave 1min.)
Screw torque
Mounting (M5)
VDC
VDC(surge)
VSC
VCES
IC
ICP
-IC
PC
IC
ICP
IF
PC
VCC
Vin
Iin
VALM
IALM
Tj
Topr
Tstg
Tsol
Viso
Rating
Min.
Max.
0
0
200
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.5
-0.5
-
-0.5
-
-
-20
-40
-
-
-
450
500
400
600
150
300
150
431
50
100
50
198
20
Vcc+0.5
3
Vcc
20
150
100
125
260
AC2500
3.5
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
A
A
A
W
V
V
mA
V
mA
°C
°C
°C
°C
V
N·m
Note
*1 : Vces shall be applied to the input voltage between terminal P and U or ‚u or W, N and U or V or W
*2 : 125°C/FWD Rth(j-c)/(Ic x VF MAX)=125/0.47/(150 x 2.6) x 100=68.2%
*3 : Pc=125°C/IGBT Rth(j-c)=125/0.29=431 W [Inverter]
Pc=125°C/IGBT Rth(j-c)=125/0.63=198W [Breake]
*4 : VCC shall be applied to the input voltage between terminal No.4 and 1, 8 and 5, 12 and 9, 14 and 13
*5 : Vin shall be applied to the input voltage between terminal No.3 and 1, 7 and 5, 11 and 9, 16,17,18 and 13.
*6 :VALM shall be applied to the voltage between terminal No.2 and 1, No6 and 5, No10 and 9, No.19 and 13.
*7 : IALMshall be applied to the input current to terminal No.2,6,10 and 19.
*8 : Immersion time 10±1sec.




7MBP150TEA060 pdf, 반도체, 판매, 대치품
7MBP150TEA060
Block diagram
VccU 4
VinU 3
ALMU 2
GNDU 1
RALM 1.5k
VccV 8
VinV 7
ALMV 6
GNDV 5
RALM 1.5k
VccW 12
VinW 11
ALMW 10
GNDW 9
RALM 1.5k
Vcc 14
VinX 16
GND 13
VinY 17
VinZ 18
VinDB 15
ALM 19
RALM 1.5k
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Pre- Driver
Vz
Outline drawings, mm
Package Type : P622
IGBT-IPM
P
U
V
W
Pre-drivers include following functions
1.Amplifier for driver
2.Short circuit protection
B 3.Under voltage lockout circuit
4.Over current protection
5.IGBT chip over heating protection
N
Mass : 270g

4페이지










7MBP150TEA060 전자부품, 판매, 대치품
7MBP150TEA060
IGBT-IPM
Switching Loss vs. Collector Current
Edc=30 0V,Vcc=15 V,Tj=25°C
12
10
Eon
8
6
Eo ff
4
2
E rr
0
0 40 80 120 160
Collec tor cu rren t : Ic (A)
Switching Loss vs. Collector Current
Edc=300V,V cc=15V,Tj=1 25°C
12
Eon
10
8
6
E o ff
4
2 E rr
0
0 40 80 120 160
Collec tor cu rren t : Ic (A)
Transient therm al resistance
1
FWD
IGB T
0.1
Power d eratin g for IG BT
(per device)
50 0
40 0
30 0
20 0
10 0
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Case Temp erature : Tc (°C)
0. 0 1
0. 00 1
30 0
0.01
0.1
Pu lse width :Pw (sec)
Power derating for FW D
(per device)
1
25 0
20 0
15 0
10 0
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature : Tc (°C)

7페이지


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