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7MBR15SC120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 7MBR15SC120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 7MBR15SC120 자료 제공

부품번호 7MBR15SC120 기능
기능 IGBT Module
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


7MBR15SC120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7MBR15SC120 데이터시트, 핀배열, 회로
7MBR15SC120
IGBT Modules
PIM/Built-in converter with thyristor
and brake (S series)
1200V / 15A / PIM
Features
· Low VCE(sat)
· Compact Package
· P.C. Board Mount Module
· Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit
Applications
· Inverter for Motor Drive
· AC and DC Servo Drive Amplifier
· Uninterruptible Power Supply
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)
Item
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
Collector power disspation
Collector-Emitter voltage
Gate-Emitter voltage
Collector current
-IC
PC
VCES
VGES
IC
ICP
Collector power disspation
Repetitive peak reverse voltage(Diode)
Repetitive peak off-state voltage
Repetitive peak reverse voltage
Average on-state current
Surge 0n-state current (Non-Repetitive)
Junction temperature
Repetitive peak reverse voltage
Average output current
Surge current (Non-Repetitive)
I2t (Non-Repetitive)
Junction temperature (except Thyristor)
Storage temperature
Isolation between terminal and copper base *2
voltage between thermistor and others *3
Mounting screw torque
PC
VRRM
VDRM
VRRM
IT(AV)
ITSM
Tjw
VRRM
IO
IFSM
I2t
Tj
Tstg
Viso
Condition
Continuous
1ms
1 device
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
Continuous
1ms
1 device
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
50Hz/60Hz sine wave
Tj=125°C, 10ms half sine wave
50Hz/60Hz sine wave
Tj=150°C, 10ms
half sine wave
AC : 1 minute
Rating
1200
±20
25
15
50
30
15
110
1200
±20
25
15
50
30
110
1200
1600
1600
15
200
125
1600
15
155
120
+150
-40 to +125
AC 2500
AC 2500
1.7 *1
*1 Recommendable value : 1.3 to 1.7 N·m (M4)
*2 All terminals should be connected together when isolation test will be done.
*3 Terminal 8 and 9 should be connected together. Terminal 1 to 7 and 10 to 26
should be connected together and shorted to copper base.
Unit
V
V
A
A
A
W
V
V
A
A
W
V
V
V
A
A
°C
V
A
A
A2s
°C
°C
V
V
N·m




7MBR15SC120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IGBT Module
7MBR15SC120
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=82, Tj= 25°C
1000
toff
500
[ Inverter ]
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg= 82, Tj= 125°C
1000
toff
500
ton
tr
100
tf
50
0
5000
5 10 15 20
Collector current : Ic [ A ]
[ Inverter ]
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=15A, VGE=±15V, Tj= 25°C
25
ton
tr
tf
100
50
0
5 10 15 20 25
Collector current : Ic [ A ]
[ Inverter ]
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, Rg=82
5
1000
500
toff
ton
tr
100
tf
50
30
100
Gate resistance : Rg [ ]
1000
[ Inverter ]
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=15A, VGE=±15V, Tj= 125°C
12
10 Eon
8
6
4
Eoff
2
Err
0
30 100
1000
Gate resistance : Rg [ ]
4
Eon(125°C)
3
Eon(25°C)
2
Eoff(125°C)
Eoff(25°C)
1
Err(125°C)
Err(25°C)
0
0 5 10 15 20 25 30
Collector current : Ic [ A ]
[ Inverter ]
Reverse bias safe operating area
+VGE=15V, -VGE<=15V, Rg>=82, Tj<=125°C
200
150
100
SCSOA
(non-repetitive pulse)
50
RBSOA
(Repetitive pulse)
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]

4페이지










7MBR15SC120 전자부품, 판매, 대치품
IGBT Module
Outline Drawings, mm
7MBR15SC120
Marking : White
Marking : White
Equivalent Circuit Schematic
[ Converter ]
[ Thyristor ]
21
(P) 26
[ Brake ]
22(P1)
1(R)
2(S)
3(T)
25
7(B)
20
(Gu)
19(Eu)
23(N)
14(Gb)
24(N1)
13(Gx)
[ Inverter ]
18
(Gv )
17(Ev )
4(U)
12(Gy )
16
(Gw)
15(Ew)
5(V)
11(Gz)
[ Thermistor ]
89
6(W)
10(En)

7페이지


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