|
|
|
부품번호 | KTA2014F 기능 |
|
|
기능 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Excellent hFE Linearity
: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).
Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).
Complementary to KTC4075F.
Thin Fine Pitch Small Package.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
-50
-50
-5
-150
-30
50
150
-55 150
UNIT
V
V
V
mA
mA
mW
KTA2014F
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
E
B
2 DIM MILLIMETERS
A 0.6+_ 0.05
3 B 0.8 +_ 0.05
1 C 0.38+0.02/-0.04
D 0.2 +_ 0.05
E 1.0+_ 0.05
G 0.35+_ 0.05
J 0.1+_ 0.05
K 0.15+_ 0.05
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
TFSM
Marking
Type Name
S hFE Rank
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=-50V, IE=0
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
DC Current Gain
hFE (Note) VCE=-6V, IC=-2mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC=-100mA, IB=-10mA
Transition Frequency
fT VCE=-10V, IC=-1mA
Collector Output Capacitance
Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
Noise Figure
VCE=-6V, IC=-0.1mA
NF
f=1kHz, Rg=10k
Note : hFE Classification O(2):70 140, Y(4):120 240, GR(6):200 400
MIN.
-
-
70
-
80
-
TYP.
-
-
-
-0.1
-
4
MAX.
-0.1
-0.1
400
-0.3
-
7
UNIT
A
A
V
MHz
pF
- 1.0 10 dB
2005. 4. 21
Revision No : 0
1/3
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ KTA2014F.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTA2014 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |
KTA2014E | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | KEC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |